【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：在半导体基底上形成具有第一导电类型的掺杂部分；在半导体基底上生长氧化物层；在氧化物层中形成多个凹进部分；在半导体基底上进一步生长氧化物层；在半导体基底的与凹进部分对应的区域上形成具有第二导电类型的掺杂部分；形成电结合到具有第一导电类型的掺杂部分的第一导电电极；以及在半导体基底上形成电结合到具有第二导电类型的掺杂部分的第二导电电极，其中，具有第一导电类型的掺杂部分与具有第二导电类型的掺杂部分之间的间隙对应于通过进一步生长氧化物层形成的氧化物层的宽度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李成喆，李斗烈，金永镇，金英水，金泳秀，李东勋，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：
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