一种半导体基板及其形成方法，该半导体基板包含低阻值基板、高阻值基板以及外延层。低阻值基板具有介于0.0001～1 Ohm-cm的第一阻值。高阻值基板设置于低阻值基板上，且直接接触低阻值基板。高阻值基板具有介于1～10000 Ohm-cm...

一种半导体基板及其形成方法，该半导体基板包括第一硅基板、氧化层、第二硅基板及外延层。氧化层设置于第一硅基板上。第二硅基板设置于氧化层上。第二硅基板具有介于10nm～10μm的厚度。外延层设置于第二硅基板上。由于第二硅基板的厚度较薄，因此...

一种低应力的外延硅晶片包含：硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外延层。硅衬底含有选自硼或磷的掺杂剂，且掺杂剂浓度为100X at%。第一硅外延层含有硅衬底的掺杂剂与锗且具有相反的第一、二侧部，第一侧部...

本实用新型公开一种气相蚀刻装置，用以对待处理晶圆的边缘进行蚀刻。气相蚀刻装置包含座体、承载平台及环状导气墙。座体具有环状出气口。承载平台设置于座体上且被环状出气口环绕。承载平台具有用以承载上述待处理晶圆且外缘位于上述待处理晶圆的边缘之内...

硅晶太阳能电池基板的制作方法包含：将硅晶块材浸于硝酸银及含水氢氟酸的溶液中使硝酸银与硅晶块材持续产生银粒子及第一氧化硅层，同时使含水氢氟酸持续移除第一氧化硅层从而使硅晶块材的表面向内凹陷有多纳米级沟槽；后续，将硅晶块材浸于硝酸水溶液中以...

本发明公开了一种硅晶片背面的封装结构，其包含有一半导体基材以及一多层结构层；多层结构层设于半导体基材的背面，且多层结构层是由一非晶硅层(Amorphous?Silicon)以及一氧化层(如二氧化硅层)所组合而成。通过非晶硅层表面的晶格方...

本发明关于一种晶背的封装结构，所述包括一半导体基材以及一多层结构层，所述多层结构层设置于所述半导体基材的底部，且是由多晶硅层以及绝缘层（如二氧化硅层）所组合而成；通过本发明的多层结构，能够促进吸杂效果、有效防止自动掺杂，改善毛边现象，并...

本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层...