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场发射电子源及应用该场发射电子源的场发射装置制造方法及图纸

技术编号:9144346 阅读:157 留言:0更新日期:2013-09-12 05:43
本发明专利技术提供一种场发射电子源,其包括一碳纳米管微尖结构,该碳纳米管微尖结构包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种场发射电子源,其特征在于,包括一碳纳米管微尖结构,该碳纳米管微尖结构包括:一绝缘基底,该绝缘基底具有一表面,该表面具有一边缘;一图案化碳纳米管膜结构,该图案化碳纳米管膜结构部分设置于该绝缘基底的所述表面,该图案化碳纳米管膜结构包括两个条形臂,该两个条形臂在端部相连以形成一尖端,该尖端突出该绝缘基底所述表面的边缘并悬空设置,该图案化碳纳米管膜结构包括多个基本平行于该绝缘基底所述表面的碳纳米管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:魏洋范守善
申请(专利权)人:清华大学鸿富锦精密工业深圳有限公司
类型:发明
国别省市:

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