【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空电子器件
，具体涉及一种恒流发射的场致发射电子源。
技术介绍
真空电子器件现在正呈快速发展趋势，市场需求的日益增大，特别是微型化真空电子器件和集成真空电子器件是目前发展的重点方向。场发射电子源在低温或者室温下工作，与电真空器件中的热电子源相比既有能耗低、响应速度快、亮度高、电子束品好等优点，可以大幅度提高真空电子器件的性能。场致发射阴极，是利用电子隧穿效应，在导体表面施加强电场，使其表面势垒降低并减薄，从而导致电子发射 的阴极。阴极场发射材料是场致发射中最关键的材料，其性能决定了阴极的场发射性能。由于场致发射电子源制备工艺限制或者材料本身的缺陷，场致发射阵列中每个场发射单元存在差异，例如Spindt场致发射阵列中尖锥高度不一致、尖端曲率半径不一致、发射单元晶格缺陷不一致、阴极发射材料形状差异等；再如碳纳米管长度不一致、笔直度不一致、晶格缺陷不一致、碳纳米管径不一致等；以及场发射体与衬底附着性能差异等，致使在施加同等电场强度下，场发射阵列单元之间的发射特性将会有差异。对于大面积的场致发射电子源，在相同的场强下，有的发射单元已经发射较高电流，...
【技术保护点】
一种恒流发射的场致发射电子源，其特征在于，包括基本发射单元，若干个该基本发射单元组成各种所需阵列，所述基本发射单元由一个场致发射体和一个恒流二级管串联组成或者由若干个场致发射体并联后再与一个恒流二级管串联组组成。
【技术特征摘要】
1.一种恒流发射的场致发射电子源，其特征在于，包括基本发射单元，若干个该基本发射单元组成各种所需阵列，所述基本发射单元由一个场致发射体和一个恒流二级管串联组成或者由若干个场致发射体并联后再与一个恒流二级管串联组组成。2.根据权利要求1所述的恒流发射的场致发射电子源，其特征在于，由一个场致发射体和一个恒流二级管串联组成的基本发射单元，其最大发射电流为恒流二极管的最大恒流值；由若干个场致发射体并联后再与一个恒流二级管串联组成的发射单元，其发射电流为若干个场致发射体的发射电流之和，并且最大发射总电流受到串联的恒流二级管恒流值控制。3.根据权利要求1或2所述的恒流发射的场致发射电子源，其特征在于，所述基本发射单元为二极管型结构或三级管型结构，二极管型结构的发射单元包括导电基底、恒流二极管、场致发射体，所述场致发射体的底端与所述...
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