【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种采用四极曝光方式的光刻装置，包括：光源；至少具有一组四极透光孔的通光单元；聚光透镜，位于所述通光单元之下，用于聚集穿过所述通光单元中所述透光孔的光源光线；光掩膜，位于所述聚光透镜之下，用于衍射穿过所述聚光透镜的光线；投影透镜，位于所述光掩膜之下，用于将穿过所述光掩膜的衍射光聚焦在位于其下部的硅衬底上；其特征在于，所述通光单元中的至少一个透光孔内至少包含多个灰度区，所述多个灰度区的灰度差异为过渡式差异，或为跳跃式差异。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛智彪，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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