一种非晶硅栅极驱动电路制造技术

技术编号:9087444 阅读:224 留言:0更新日期:2013-08-29 00:02
本发明专利技术公开了一种非晶硅栅极驱动ASG电路,所述ASG电路包括M个非晶硅薄膜晶体管以及P个电容,其中,所述M个非晶硅薄膜晶体管与所述P个电容形成多条线路,所述M、P为正整数,还包括:多个分别设置于存在线路电交叉的非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的用于将所述非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的静电导入参考电压线的静电保护单元,其中,若多个非晶硅薄膜晶体管和/或多个电容存在相同的电连接节点,则所述多个非晶硅薄膜晶体管和/或所述多个电容共用同一静电保护单元。在本发明专利技术所述方案中,由于ASG电路中的各线路均存在静电保护单元,因此解决了现有技术中存在的无静电释放途径导致器件失效的问题,提高了ASG电路的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种非晶硅栅极驱动电路,包括M个非晶硅薄膜晶体管以及P个电容,其中,所述M个非晶硅薄膜晶体管与所述P个电容形成多条线路,所述M、P为正整数,其特征在于,所述非晶硅栅极驱动电路还包括:多个分别设置于存在线路电交叉的非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的用于将所述非晶硅薄膜晶体管或电容位置处的静电导入参考电压线的静电保护单元;其中,若多个非晶硅薄膜晶体管和/或多个电容存在相同的电连接节点,则所述多个非晶硅薄膜晶体管和/或所述多个电容共用同一静电保护单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:梁艳峰
申请(专利权)人:上海中航光电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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