去除掩模版上雾状缺陷的装置及方法制造方法及图纸

一种去除掩模版上雾状缺陷的装置，包括腔体、位于腔体上的第一进气通路和第一排气通路、以及设置于腔体内的掩模版夹持装置和激光光源，其中，所述第一进气通路、第一排气通路和激光光源在所述掩模版夹持装置的同一侧。一种去除掩模版上雾状缺陷的方法，包括：将待去除雾状缺陷的掩模版加载至掩模版夹持装置上，所述待去除雾状缺陷的掩模版上加载有保护膜，所述保护膜与激光光源相对；使所述待去除雾状缺陷的掩模版的温度达到预定温度，并通过第一进气通路向腔体提供保护气体，通过激光照射所述待去除雾状缺陷的掩模版。本发明专利技术提供的去除掩模版上雾状缺陷的装置及方法，改善缩短了去除雾状缺陷的周期，降低工艺成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体
的装置及其方法，具体的，本专利技术涉及一种。
技术介绍
由于半导体器件变得越来越小，在晶片上形成的图案的尺寸也随着减小。为了形成微细图案，采用掩模版的光刻工艺得到使用。在光刻工艺中，光刻胶涂覆到材料层上，在该材料层上将形成需要的图案，且光线通过具有预定的、光屏蔽图案的掩模版照射在一部分光刻胶层上。随后，通过采用显影溶液的显影工艺去除光刻胶层的辐射部分，以形成光刻胶层图案。此后，光刻胶层图案作为用来暴露一部分材料层，使得材料层的暴露的部分由采用光刻胶图案作为刻蚀掩模的刻蚀工艺去除掉。这样，能够形成材料层的图案，对应于掩模版的光屏蔽图案。在使用掩模版进行晶片光刻的过程中，当掩模版被光刻机激光照射一定时间以后，尤其是193nm或者193nm以下波长光源的照射下，在相位移掩模版上会逐渐生成所谓的雾状缺陷(haze)。雾状缺陷以各种形式出现，比如有掩模版背面石英玻璃上的奶白色粉末状缺陷，铬(Cr)或者钥硅(MoSi)图案线条两侧类似晶体的雪片状缺陷，掩模版的保护膜表面的结晶盐，等等。这些缺陷是有害的，它们有可能导致芯片成品率的大大降低。由于这些雾状缺陷透光率较低，将影响曝光时光的透光率，从而影响光刻质量。雾状缺陷在当前的光刻工艺生产过程中很常见，并与曝光波长呈反比关系。随着半导体工艺的不断发展，光刻波长日益缩短，雾状缺陷的发生频率相应大为提高。雾状缺陷在光刻波长为365nm的时代，基本上没有太大的影响。在248nm时，这类缺陷只影响到约5%的相位移掩模版。然而到了 193nm光刻，受其影响的相位移掩模版高达15% 20%。雾状缺陷被认为是在掩模版上`有离子残留的区域里，光化学反应的结果，也可能是由外来物质引起的，比如保护膜(Pellicle)，粘着剂散发的气体，运输用的包装盒，包装袋中的气体，晶圆制造厂环境的污染物等等。现有工艺在去除掩模版上雾状缺陷时包括以下步骤:首先，去除掩模版上的保护膜；接着，清洗所述掩模版；然后，检查清洗后的掩模版是否包含雾状缺陷，当所述清洗后的掩模版上不包含雾状缺陷时，在所述掩模版上加载保护膜，当所述清洗后的掩模版上包含雾状缺陷时，再次清洗所述掩模版。由于现有工艺在去除掩模版上的雾状缺陷时需要先去除掩模版上的保护膜，并在清洗后重新加载保护膜，导致现有工艺在去除掩模版上的雾状缺陷时周期较长。同时，去除掩模版上雾状缺陷的过程会耗费大量的保护膜，进而导致去除掩模版上雾状缺陷时成本较高。另外，在去除掩模版上保护膜以及清洗所述掩模版的过程中，残留在掩模版上清洗溶液还会引进新的离子，在掩模版上形成新的雾状缺陷，影响去除掩模版上雾状缺陷的效果。在申请号为200810115965.X的中国专利申请中可以发现更多关于现有技术去除掩模版上雾状缺陷方法的信息。因此，如何提供一种简单有效的去除掩模版上雾状缺陷的技术，就成了亟待解决的问题。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，改善现有工艺去除掩模版上雾状缺陷时周期较长，成本较高的问题，提高去除掩模版上雾状缺陷的效率以及雾状缺陷的去除效果。为解决上述问题，本专利技术提供了一种去除掩模版上雾状缺陷的装置，包括腔体、位于腔体上的第一进气通路和第一排气通路、以及设置于腔体内的掩模版夹持装置和激光光源，其中，所述第一进气通路、第一排气通路和激光光源在所述掩模版夹持装置的同一侧。可选的，所述去除掩模版上雾状缺陷的装置还包括与所述第一进气通路连接的第一气体源，以向所述腔体提供保护气体。可选的，所述保护气体为氮气或惰性气体。可选的，所述去除掩模版上雾状缺陷的装置还包括第二进气通路和第二排气通路，所述第二进气通路和第二排气通路位于腔体上、且位于所述掩模版夹持装置的另一侧，与所述激光光源相对。可选的，所述去除掩模版上雾状缺陷的装置还包括与所述第二进气通路连接的第二气体源，以向所述腔体提供加热气体。·可选的，所述加热气体为空气。相应的，本专利技术还包括一种利用上述去除掩模版上雾状缺陷的装置去除掩模版上雾状缺陷的方法，包括:将待去除雾状缺陷的掩模版加载至掩模版夹持装置上，所述待去除雾状缺陷的掩模版上加载有保护膜，所述保护膜与激光光源相对；使所述待去除雾状缺陷的掩模版的温度达到预定温度，并通过第一进气通路向腔体提供保护气体，通过激光照射所述待去除雾状缺陷的掩模版。可选的，所述预定温度在80°C 160°C范围内。可选的，所述保护气体为氮气或惰性气体。可选的，所述腔体内压强为1.01 X IO5帕斯卡。可选的，所述激光的波长在300 600nm范围内。可选的，所述激光照射待去除雾状缺陷的掩模版的时间在2小时 5小时范围内。可选的，所述去除掩模版上雾状缺陷的方法还包括向所述腔体提供加热气体，使所述待去除雾状缺陷的掩模版的温度达到预定温度。可选的，所述加热气体为空气。可选的，所述加热气体的流速在50 150米/秒范围内。可选的，所述加热气体的温度在100°C 200°C范围内。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点:(I)本专利技术在不卸除保护膜的基础上，对待去除雾状缺陷的掩模版进行激光照射，使雾状缺陷转化成离子而从掩模版上脱离，进而去除掩模版上的雾状缺陷，避免因多次加载和卸除保护膜而造成工艺成本较高的问题，有效缩短了去除掩模版上雾状缺陷的周期，降低去除掩模版上雾状缺陷的成本，提高去除掩模版上雾状缺陷的效率以及去除效果。(2)另外，利用本专利技术去除掩模版上雾状缺陷的方法去除雾状缺陷过程中，不需要多次卸除和加载保护膜，避免在卸除保护膜或加载保护膜过程中黏合剂残留在掩模版上形成新的缺陷，提高了去除掩模版上雾状缺陷的效果。附图说明图1为本专利技术去除掩模版上雾状缺陷的装置一实施例的示意图；图2为利用图1中去除掩模版上雾状缺陷的装置去除掩模版上雾状缺陷的方法的流程图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。正如背景 技术部分所述，利用现有去除掩模版上雾状缺陷方法去除掩模版上雾状缺陷时，需要先卸除掩模版上的保护膜，然后对掩模版进行清洗并检查清洗后的掩模版上是否存在雾状缺陷，当掩模版上还存在雾状缺陷时，重新清洗所述掩模版直至其上不存在雾状缺陷，最后，在所述掩模版上重新加载保护膜。由于现有工艺在去除掩模版上雾状缺陷过程中需要反复卸除和加载保护膜，导致在去除掩模版上雾状缺陷时周期较长，且因需要耗费大量保护膜而导致工艺成本较高。针对上述问题，专利技术人提供了一种去除掩模版上雾状缺陷的装置，能够在不卸除掩模版上保护膜的基础上去除掩模版上雾状缺陷，避免在去除掩模版上雾状缺陷时反复卸除和加载保护膜，缩短了去除掩模版上雾状缺陷的周期，降低了工艺成本。图1为本专利技术去除掩模版上雾状缺陷装置一实施例的示意图。所述去除掩模板上雾状缺陷的装置包括:腔体、位于腔体上的第一进气通路111和第一排气通路113、以及设置于腔体内的掩模版夹持装置101和激光光源109，其中，所述第一进气通路111、第一排气通路113和激光光源109在所述掩模版夹持装置101的同一侧，即上腔体102。在本实施例中，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种去除掩模版上雾状缺陷的装置，其特征在于，包括腔体、位于腔体上的第一进气通路和第一排气通路、以及设置于腔体内的掩模版夹持装置和激光光源，其中，所述第一进气通路、第一排气通路和激光光源在所述掩模版夹持装置的同一侧。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：顾婷婷，施维，田明静，古宏宽，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：