分光传感器的制造方法技术

分光传感器（1）的制造方法具备：在处理基板上通过纳米印刷法形成腔体层（21）的第1工序；在第1工序后，在腔体层（21）上形成第1镜面层（22）的第2工序；在第2工序后，在第1镜面层（22）上接合光透过基板（3）的第3工序；在第3工序后，从腔体层（21）除去处理基板的第4工序；在第4工序后，在除去了处理基板的腔体层（21）上形成第2镜面层（23）的第5工序；以及在第5工序后，在第2镜面层（23）上接合光检测基板（4）的第6工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
作为现有的分光传感器，已知有具备根据光的入射位置使规定的波长的光透过的多个干涉滤波部、使入射至干涉滤波部的光透过的光透过基板、以及检测透过了干涉滤波部的光的光检测基板的分光传感器。这里，各干涉滤波部有时通过使一对镜面层经由腔体层相对而构成为法布里-珀罗型。作为这样的，在专利文献I中，记载了如下方法。首先，在光检测基板上形成多个一方的镜面层，其后，在这些镜面层上通过纳米印刷法形成腔体层。接着，在腔体层上形成多个另一方的镜面层，最后，在这些镜面层上接合光透过基板。现有技术文献专利文献专利文献1:国际公开第2008/017490号
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，对于专利文献I记载的而言，有这样的担忧:所制造的分光传感器的可靠性降低。其理由如下所述。即，由于在光检测基板的表面，存在起因于受光部或配线层等的形成的凹凸，因此，即使在形成于这样的表面的镜面层上由纳米印刷法形成腔体层，也有不能够得 到高精度(例如，厚度为nm量级)的腔体层的很大的担忧。另夕卜，由于形成为在光检测基板堆积镜面层或腔体层，因此，有在各过程中对光检测基板带来损伤的很大的担忧。因此，本专利技术的目的在于提供一种能够得到可靠性高的分光传感器的。解决问题的技术手段本专利技术的一个观点的，是具备具有腔体层以及经由腔体层而相对的第I和第2镜面层并使规定的波长范围的光根据入射位置而选择性地透过的干涉滤波部、使入射至干涉滤波部的光透过的光透过基板、以及检测透过了干涉滤波部的光的光检测基板的，具备:在处理基板上通过纳米印刷法形成腔体层的第I工序；在第I工序后，在腔体层上形成第I镜面层的第2工序；在第2工序后，在第I镜面层上接合光透过基板的第3工序；在第3工序后，从腔体层除去处理基板的第4工序；在第4工序后，在除去了处理基板的腔体层上形成第2镜面层的第5工序；以及在第5工序后，在第2镜面层上接合光检测基板的第6工序。在该中，在处理基板上通过纳米印刷法形成腔体层。如此，通过对处理基板实施纳米印刷法，能够稳定地得到高精度的腔体层。此外，在光透过基板侧形成腔体层以及第I和第2镜面层后，接合光检测基板。由此，能够防止在用于形成腔体层或镜面层的各过程中对光检测基板造成损伤。因此，根据该，可以获得可靠性高的分光传感器。这里，处理基板也可以具有能够选择性地除去的表面层，在第I工序中，在表面层上形成腔体层，在第4工序中，通过选择性地除去表面层而从腔体层除去处理基板。如此，通过选择性地除去处理基板的表面层，防止对腔体层造成损伤，并能够缩短从腔体层除去处理基板所需要的时间。另外，在第I工序中，也可以在第3工序中在第I镜面层上经由光学树脂层而接合光透过基板的情况下，以包含配置有光学树脂层的区域的方式，在处理基板上形成腔体层。由此，在除去处理基板时，仅腔体层接触于处理基板，因而能够在简单的条件下除去处理基板。另外，在第3工序之前，将使规定的波长范围的光透过的光学滤波层形成在光透过基板上，在第3工序中，以第I镜面层与光学滤波层相对的方式，在第I镜面层上接合光透过基板。由此，能够使规定的波长范围的光效率高地入射至干涉滤波部。专利技术的效果根据本专利技术，能够得到可靠性高的分光传感器。附图说明图1是由本专利技术的一个实施方式的所制造的分光传感器的立体图。图2是沿着图1的I1-1I线的截面图。 图3是用于说明图1的的截面图。图4是用于说明图1的的截面图。图5是用于说明图1的的截面图。图6是用于说明图1的的截面图。图7是用于说明图1的的截面图。图8是用于说明图1的的截面图。图9是用于说明图1的的截面图。图10是用于说明图1的的截面图。图11是用于说明图1的的截面图。图12是用于说明图1的的立体图。图13是用于说明比较方式的的截面图。具体实施例方式以下，参照附图，详细地说明本专利技术的优选的实施方式。另外，各图中相同或相当的部分使用相同的符号，省略重复的说明。如图1和图2所示，分光传感器I具备根据入射位置使规定的波长范围的光选择性地透过的多个干涉滤波部20A，20B, 20C、使入射至干涉滤波部20A 20C的光透过的光透过基板3、以及检测透过了干涉滤波部20A 20C的光的光检测基板4。分光传感器I构成为长方体状的CSP (Chip Size Package:芯片级封装)，干涉滤波部20A 20C在光透过基板3与光检测基板4之间沿着分光传感器I的长度方向排列。光透过基板3由玻璃等构成，形成为厚度0.2mm 2mm左右的矩形板状。在光透过基板3的背面3b，以与各干涉滤波部20A，20B, 20C相对的方式形成有光学滤波层5。各光学滤波层5是电介质多层膜或有机彩色滤波片(彩色光阻)，形成为厚度0.1 μ m 10 μ m左右的矩形膜状。光学滤波层5起到作为使应入射到相对的干涉滤波部20A 20C的规定的波长范围的光透过的带通滤波器的功能。光检测基板4是光电二极管阵列，形成为厚度ΙΟμπι 150 μ m左右的矩形板状。在光检测基板4的表面4a，形成有接收透过了干涉滤波部20A 20C的光的受光部6。受光部6通过沿着与光检测基板4的长度方向大致垂直的方向延伸的长条状的光电二极管沿着光检测基板4的长度方向一维排列而构成。此外，在光检测基板4,形成有用于将由受光部6进行光电变换的电气信号取出至外部的配线7 (表面配线、背面配线、贯通配线等)。在光检测基板4的背面4b，设置有与配线7电连接的表面安装用的凸点(bump)8。再有，光检测基板4不限定于光电二极管阵列，也可以是其他的半导体光检测元件(C-M0S图像传感器、CXD图像传感器等)。各干涉滤波部20A，20B, 20C 具有腔体层 21 和 DBR (Distributed BraggReflector:分布布拉格反射器)层22，23。在各干涉滤波部20A 20C，DBR层(第I镜面层)22与DBR层(第2镜面层)23经由腔体层21而相对。即，腔体层21保持相对的DBR层22，23间的距离(各干涉滤波部20A，20B，20C中的腔体层21的膜厚彼此不同)。各DBR层22，23是电介质多层膜，形成为厚度0.1 μ m 10 μ m左右的矩形膜状。再有，在各干涉滤波部20A，20B, 20C, DBR层22的厚度相互不同，同样地，在各干涉滤波部20A，20B, 20C, DBR层23的厚度相互不同。DBR层22相对于腔体层21而位于光透过基板3侧，在每个干涉滤波部20A 20C被分离。DBR层23相对于腔体层21而位于光检测基板4侧，在每个干涉滤波部20A 20C被分离。相邻的DBR层22，22间的区域R`l的宽度和相邻的DBR层23，23间的区域R2的宽度分别为0.5μπι 10 μ m左右。`腔体层21由光透过性材料(光学树脂、玻璃、半导体、电介质等)构成,遍及干涉滤波部20A 20C的各个而一体地形成。腔体层21的外缘部到达分光传感器I的侧面(即光透过基板3的侧面和光检测基板4的侧面)，这些侧面为大致同一面。在各干涉滤波部20A 20C，腔体21的厚度向沿着分光传感器I的长度方向的一侧在IOOnm 数百nm左右的范围内逐渐增加。由此，入射至光检测基板4的受光部6的各沟道(channel)的光的波长，由在与各沟道相对的部分的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：柴山胜己，高坂正臣，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：
国别省市：