翻新含有铜和铟的合金溅射靶制造技术

本发明专利技术涉及一种翻新溅射靶的方法，所述方法包括：提供包含温度敏感性合金并具有靶材已消耗的区域的溅射靶；提供具有包含所述期望的温度敏感性合金的第一相的粉末到所述表面上；以及在低于损坏所述温度敏感性合金的温度下将所述粉末压制在所述表面上，以形成翻新的靶。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及翻新溅射靶以及这样的靶在制造基于硫属化物的光电活性溅射薄膜中的用途。
技术介绍
η-型硫属化物材料和/或P-型硫属化物材料两者都具有光伏功能性(在本文中也称为光吸收功能性)。在并入到光伏器件中时，这些材料吸收入射光并产生电输出。因此，这些基于硫属化物的光吸收材料已在功能性光伏器件中用作光伏吸收体区。示例性的P-型硫属化物材料通常包括铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)和/或铝中的至少一种或多种的硫化物、硒化物和/或碲化物。尽管特定的硫属化物组成可以由首字母缩略词例如CIS、CISS、CIGS、CIGST、CIGSAT和/或CIGSS组成等来指称，但在后文中，除非另外清楚地指出，否则术语“CIGS”将指称所有硫属化物组成和/或其所有前体。已知可以通过将一种或多种组分溅射在适合的基材上并可能随后进行硫属化，来制造这些硫属化物薄膜。例如，Britting 等，“Development of Novel Target Materialsfor Cu (In, Ga) Se-Based Solar Cells, Plasma Process.Polym.2009.6,其教导了通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：G·E·盖尔比，R·T·尼尔森，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，
类型：
国别省市：