溅射靶制造技术

本发明专利技术为一种溅射靶，其特征在于，含有Ag和C。本发明专利技术的溅射靶在Fe、Pt及C的基础上还含有Ag。由于含有Ag，从而本发明专利技术的溅射靶成为高密度。其结果为，能够减少在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量，从而能够提高通过实施溅射而形成的薄膜的特性。此外，本发明专利技术的溅射靶即使在通过低温烧结而被制造的情况下也成为高密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种溅射靶，更详细而言，涉及一种含有Fe、Pt、Ag以及C，且能够在不需要大规模的装置的条件下形成磁记录膜的高密度的溅射靶。
技术介绍
作为构成被搭载于计算机等中的硬盘等的磁记录膜，一直以来使用了 CoPt类薄膜，并且通过垂直磁记录方式而逐渐实现了高记录密度化。但是，近年来高记录密度化的要求越发强烈，从而通过CoPt类薄膜越来越难以应对该要求。因此，作为代替CoPt类薄膜的第二代磁记录膜，提出了 FePt类薄膜。FePt类薄膜具有与CoPt类薄膜相比磁各向异性较高的优点。另一方面，FePt类薄膜具有如下的缺点，即，因为构成该薄膜的粒子变得过大，所以结构变得不规则，从而磁特性降低。因此，研究了通过在FePt类薄膜中添加碳等从而对磁特性进行控制的技术。在专利文献I中公开了一种如下的技术，S卩，通过同时对Fe、Pt及C单体的其他溅射靶实施溅射，从而获得磁特性优异的FePtC类的磁记录膜。但是，因为该技术实施利用了三种溅射靶的三元同时溅射，所以用于设置溅射靶的阴极需要三个以上，从而存在装置规模变大等的问题。该问题可以通过制作含有Fe、Pt及C等构成磁记录膜的所有元素的溅射靶来解决。因为在利用该溅射靶时，只需对一个溅射靶实施溅射即可，所以不需要多个阴极以设置溅射靶，从而能够在不需要大规模的装置的条件下获得FePtC类磁记录膜。但是，当溅射靶中的碳成为高浓度时，将难以提高溅射靶的密度。如果溅射靶的密度较低，则将产生如下的问题，即，在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量增大，从而使通过溅射而形成的薄膜的特性降低。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特许第3950838号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术是为了解决上述的问题点而完成的，其目的在于，提供一种即使含有高浓度的碳，密度也较高，从而能够得到高性能的FePtC类磁记录膜的溅射靶。用于解决课题的方法达成上述目的的本专利技术为一种溅射靶，所述溅射靶的特征在于，含有Fe、Pt、Ag及C0在上述溅射靶中，优选为，Ag的含量相对于Fe、Pt及Ag的合计含量的比率为摩尔百分比I 20%,并且优选为，通过对含有Fe粉末、Pt粉末、Ag粉末及C粉末的原料粉末进行烧成而被制造，此外，优选为，密度 在90%以上。专利技术效果本专利技术的溅射靶除了 Fe、Pt及C之外还含有Ag。由于含有Ag，从而本专利技术的溅射靶成为高密度。其结果为，能够减少在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量，从而能够提高通过溅射而形成的薄膜的特性。此外，即使在通过低温烧结而被制造的情况下，本专利技术的溅射靶也成为高密度。附图说明图1为通过实施例1 5而获得的溅射靶的X射线衍射图案。图2为通过比较例I 6而获得的溅射靶的X射线衍射图案。具体实施例方式本专利技术的溅射靶 含有Fe、Pt、Ag及C。S卩，本专利技术的溅射靶为，在目前所研究出的FePtC类的溅射靶的基础上新添加了 Ag的溅射靶。当使溅射靶除了 Fe、Pt及C之外还含有Ag时，将能够提高溅射靶的密度。当含有Ag时溅射靶的密度将增高的理由认为如下。当对由Fe粉末及Pt粉末构成的混合粉末进行烧成时，因为Fe和Pt将逐渐固溶化，从而成分紧密地集聚，所以能够获得高密度的溅射靶。另一方面，认为当对由Fe粉末、Pt粉末及C粉末构成的混合粉末进行烧成时，因为C阻碍Fe和Pt的固溶化，从而成分不会紧密地集聚，所以在FePtC类的情况下，难以获得高密度的溅射靶。此外认为，当对由Fe粉末、Pt粉末、C粉末及Ag粉末构成的混合粉末进行烧成时，即使存在C，也因为Ag促进Fe和Pt的固溶化，所以成分紧密地集聚，从而能够获得高密度的溅射靶。对于上文的内容，将在后述的实施例中具体地进行详细叙述。本专利技术的溅射靶由Fe、Pt、Ag及C构成，此外有时会含有不可避免的杂质。Ag的含量优选为,相对于Fe、Pt及Ag的合计含量,为摩尔百分比I 20%,更优选为摩尔百分比5 17%。当Ag的含量在上述范围内时，容易成为高密度的溅射靶。另一方面，当Ag的含量少于摩尔百分比1%时，有时溅射靶不会充分地成为高密度，而当Ag的含量多于摩尔百分比20%时，有时通过对该溅射靶进行溅射而形成的膜的磁特性会降低。在以本专利技术的溅射靶所含有的Fe、Pt、Ag及C的比率的形式，而将本专利技术的溅射革巴的组成表示为 100_z — Cz (x、y、z:摩尔百分比％)时，x优选为45 65，更优选为49 51，y优选为I 20，更优选为5 17，z优选为13 59，更优选为32 59。只要Fe、Pt、Ag及C的比率处于上述范围内，通过对该溅射靶进行溅射而获得的薄膜便能够作为磁记录膜而有效地进行使用。本专利技术的溅射靶的相对密度优选在90%以上，更优选在95%以上。如果相对密度在90%以上，则能够减少在实施溅射时将溅射靶设置在真空气氛中之际，从溅射靶释放出的气体的量，从而能够提高通过实施溅射而形成的薄膜的特性。上述相对密度为根据阿基米德法而测定出的数值。本专利技术所涉及的溅射靶可以通过如下方式来制造，S卩，将Fe粉末、Pt粉末、Ag粉末及C粉末混合而调制出混合粉末，并对该混合粉末进行烧结，且根据需要而对烧结体实施加工的方式。通过BET (Brunauer-Emmett-Teller:希朗诺尔-埃米特_泰勒)法而测定出的Fe粉末、Pt粉末、Ag粉末及C粉末的平均粒径，通常情况下分别为10 70 μ m、I 4 μ m、2 5um及 3 20umo所混合的Fe粉末、Pt粉末、Ag粉末及C粉末的比例被确定为，使被包含在所获得的溅射靶中的Fe、Pt、Ag及C的比率处于上述范围内。作为Fe粉末、Pt粉末、Ag粉末及C粉末的混合方法并没有特别地被限定，例如可以列举出通过球磨机等进行的混合。 作为混合粉末的烧结方法，例如可以列举出通过通电烧结法而实施的烧结以及通过热压(HP:Hot Press)法而实施的烧结等。在这些方法中，尤其优选为通电烧结法。在通电烧结法中，因为通过粒子之间的放电而使粒子彼此接合且烧结，所以需要的能量较少，且与热压(HP)法等相比能够实现较低温度下的烧结。因此，容易获得密度较高且由较细的粒子构成的烧结体。另一方面，因为在热压法中，通过来自外部的加热而进行烧结，所以需要较多的能量，并且如果不在高温下进行烧结，则无法获得密度较高的烧结体。因此，形成由粗大的粒子构成的烧结体的倾向较强。一般情况下，使用由较细的粒子构成的靶具有所形成的膜的均匀性增高这一优点。另一方面，当使用由粗大的粒子构成的靶时，引起颗粒产生等问题的倾向较强。在这一点上，通电烧结法优于热压法等。如上文所述，当使用通电烧结法时，能够获得与热压法等相比相对密度较高的烧结体。例如，当使用通电烧结法时，容易获得相对密度在90%以上的烧结体，但在使用热压法时，难以获得相对密度在90%以上的烧结体。但是，能够通过对烧结体实施追加加工而提高烧结体的相对密度。因此，即使通过对混合粉末进行烧结而获得的烧结体的相对密度不足90%，也能够通过对该烧结体实施追加加工而获得相对密度在90%以上的靶。作为上述追加加工，可以列举出热等静压(HIP:Hot isostatic pressing)等。通过利用热等静压(HIP)来对烧结体实本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：池田真，
申请(专利权)人：三井金属矿业株式会社，
类型：
国别省市：