一种靶材用高纯钛板的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种靶材用高纯钛板的制备方法，包括以下步骤：一、将海绵钛颗粒压制成电极块，然后将电极块焊接成自耗电极；二、将自耗电极经真空自耗电弧熔炼得到铸锭；三、将铸锭进行第一加热处理；四、将铸锭进行镦拔锻造，得到板坯；五、将板坯进行第二加热处理；六、将板坯进行轧制，得到半成品板材；七、将半成品板材经退火、矫直和表面修磨处理，得到靶材用高纯钛板。采用本发明专利技术制备的靶材用高纯钛板的质量纯度不小于99.8%，平均晶粒尺寸小于100μm，且晶粒尺寸均匀一致，满足溅射靶材的相关技术要求，可广泛应用于电子器件、半导体、平面显示等溅射膜领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于稀有金属材料制备
，具体涉及。
技术介绍
靶材作为一种具有特殊用途的材料，具有很强的应用目的和明确的应用背景。溅射靶材已广泛应用于装饰、工模具、玻璃、电子器件、半导体、磁记录、平面显示、太阳能电池等众多领域。溅射靶材在我国是一个较新的行业；我国靶材技术产业水平与国际靶材相比还存在较大的差距，全球高端靶材市场还主要被欧美或日本的靶材公司所垄断。迄今为止，中国还没有生产靶材的专业大公司，大量靶材还需从国外进口，特别是技术含量高的靶材。纯钛溅射靶现在已广泛应用于装饰镀膜、工模具镀膜、玻璃镀膜、半导体装置镀膜、电子器件镀膜、平面显示镀膜等领域。靶材用纯钛板的生产主要控制纯度、晶粒尺寸、晶粒取向及晶粒均匀性四个方面。半导体装置、电子器件、平面显示等领域用靶材纯度要求高,要求钛板的质量纯度达到99.8%以上。靶材的纯度越高，溅射薄膜的性能越好；且靶材的晶粒尺寸必须控制在ΙΟΟμπι以下。在合适的晶粒尺寸范围内，晶粒取向越均匀越好；晶粒尺寸相差较小的 靶材，淀积薄膜的厚度分布也较均匀。由于靶材用高纯钛板技术要求高，生产难度大，特别是电子器件、半导体、平面显示等高端靶材市场，国本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种靶材用高纯钛板的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：?步骤一、将海绵钛颗粒压制成密度为3.2g/cm3～3.5g/cm3的电极块，然后将多个所述电极块在真空等离子焊箱中进行真空等离子焊接，得到自耗电极；?步骤二、将步骤一中所述自耗电极置于真空自耗电弧熔炼炉中，在真空度不大于0.5Pa的条件下进行两次真空自耗电弧熔炼，得到铸锭；所述铸锭的截面形状为直径为480mm～720mm的圆形；?步骤三、切除步骤二中所述铸锭的冒口和锭底，去除铸锭的表面缺陷，然后将去除表面缺陷后的铸锭置于加热炉中进行第一加热处理，所述第一加热处理的具体制度为：首先在温度为750℃～800℃的条件下保温60min～9...

【技术特征摘要】
1.一种靶材用高纯钛板的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤: 步骤一、将海绵钛颗粒压制成密度为3.2g/cm3 3.5g/cm3的电极块，然后将多个所述电极块在真空等离子焊箱中进行真空等离子焊接，得到自耗电极； 步骤二、将步骤一中所述自耗电极置于真空自耗电弧熔炼炉中，在真空度不大于0.5Pa的条件下进行两次真空自耗电弧熔炼，得到铸锭；所述铸锭的截面形状为直径为480mm 720mm的圆形； 步骤三、切除步骤二中所述铸锭的冒口和锭底，去除铸锭的表面缺陷，然后将去除表面缺陷后的铸锭置于加热炉中进行第一加热处理，所述第一加热处理的具体制度为:首先在温度为750°C 800°C的条件下保温60min 90min，然后升温至1000°C 1050°C后保温300min 450min ； 步骤四、采用快锻机将步骤三中经第一加热处理后的铸锭进行一火次的镦拔锻造，得到厚度为120mm 240mm的板坯；所述镦拔锻造的总变形量为65% 80% ； 步骤五、去除步骤四中所述板坯的表面缺陷，然后将去除表面缺陷后的板坯置于加热炉中，在温度为850°C 880°C的条件...

【专利技术属性】
技术研发人员：党鹏，高维娜，王瑞琴，吴晓东，付文杰，李辉，张清，刘华，王洋，周玉川，陈钧伟，杨利，李鹏，范涵，
申请(专利权)人：西部钛业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：