溅射靶材制造技术

本发明专利技术的一方面是提供了一种溅射靶材，其包括支承板（40）和安装在该支承板上的溅射板，所述的支承板包括前表面和后表面，所述的溅射板包括溅射表面和后表面。至少所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面的其中之一具有至少一个凹槽（30），相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的观察区。将插入块（50）置于所述的凹槽里。所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料。而所述溅射靶材的另一方面是提供了一种控制溅射靶材电磁特性的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及溅射靶材。更具体地说，本专利技术涉及具有提高溅射板材料利用率这样设计的溅射靶材。
技术介绍
本专利技术的实施例涉及用于溅射工艺室的溅射靶材。溅射靶材包括溅射板和支承板。在集成电路和显示器的制作中，溅射室用于溅射沉积材料至基片上。在当前技术中，溅射室已是众所周知，其被描述在下列专利中=Allen等人的美国专利申请公开第2008/0308416号，其题为“具有增加寿命和溅射均匀性的溅射靶材”;Fu的美国专利第6183614号，其题为“旋转的磁控溅射组件”;Gopalraja等人的美国专利第6274008号，其题为“电镀填空镀铜的集成工艺”，所有这些均通过引用的方式结合到本申请中。典型地，溅射室包括屏蔽罩、工艺区、气体激发器和排气口，其中，屏蔽罩在溅射靶材周围且溅射靶材正对着基片支撑件，工艺区用于导入工艺气体，气体激发器用于对工艺气体供能，排气口用于排气和控制室内工艺气体的压力。在被激发的气体里形成的激活离子轰击溅射靶材，促使要被溅射的材料脱离溅射板并沉积在基片上成膜。溅射室也可具有磁场发生器，其用于成形和限定溅射靶材周围的磁场，从而提高溅射靶材的溅射板材料的溅射。溅射板材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.02.17 US 61/338,2941.ー种派射IE材，其包括 支承板和安装在该支承板上的溅射板，所述的支承板包括具有前表面和后表面的板，所述的溅射板包括溅射表面和后表面。2.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述的溅射板具有平面形状。3.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述溅射板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。4.根据权利要求3所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。5.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述支承板的前表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。6.根据权利要求5所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。7.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述支承板的后表面包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。8.根据权利要求7所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。9.根据权利要求I所述的溅射靶材，其中，所述溅射板的后表面、所述支承板的前表面或所述支承板的后表面中的至少ー个包括凹槽，相对于所述溅射板的邻近区域，所述凹槽成形且大小对应于所述溅射板的更高溅射的被观察区。10.根据权利要求9所述的溅射靶材，其中，所述的支承板包括第一材料，所述的溅射板包括第二材料，插入块包括第三材料；所述的第一、第二、第三材料是互不相同的，其中，所述插入块定位于所述的凹槽里。11.根据权利要求10所述的溅射靶材，其中，所述的第一材料至少...

【专利技术属性】
技术研发人员：EY伊瓦诺夫，A莱波维克，J里泽，
申请(专利权)人：东曹SMD有限公司，
类型：
国别省市：