一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法技术

本发明专利技术提供的一种平面铜铟镓硒溅射靶材，由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20-25）∶（10-19）∶（6-12.5）∶（50-60）。本发明专利技术还提供了一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法。该靶材由铜、铟、镓和硒构成Cu-In-Ga-Se2四元合金体系，能够大幅降低铜铟镓硒薄膜电池的生产成本，使铜铟镓硒薄膜电池大规模工业化。该靶材的制备方法以高纯金属铜、铟、镓、硒为原料，经过球磨、过筛、热压等工艺制得平面铜铟镓硒溅射靶材，工艺简单、成本低廉，适于工业化生产，制得的靶材相对密度高可达到89%以上、氧密度高可达150-250ppm、电导率高可达50-80Ωcm、尺寸小可达40-100微米。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于太阳能应用设备领域，特别涉及一种钠掺杂钥平面溅射靶材的制备方法。
技术介绍
过去几十年中，太阳能电池板的制造业规模迅速扩大。2011年，美国太阳能产业的增长率高达109%，在新能源
中首屈一指。铜铟镓硒薄膜太阳能电池在太阳能电池板领域发展迅速，其通常在一层刚性的玻璃底板或是柔性的不锈钢板上依次设有钥层、铜铟镓硒薄膜吸收层、硫化镉缓冲层、本征氧化锌、铝-氧化锌窗口层和表面接触层。目前，除了铜铟镓硒薄膜吸收层外，其它部分都基本上标准化标准化，而铜铟镓硒薄膜吸收层正是铜铟镓硒薄膜电池质量的核心。根据Lux Research的研究报告，2011年铜铟镓硒薄膜太阳能市场产能达到1.2GW，并将于2015年达到2.3GW ;其他太阳能电池研究机构均预测铜铟镓硒薄膜太阳能电池的市场份额将由2010年的3%增长至2015年的6%，并将在2020年达到33%。这充分表明铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术将引领未来的太阳能电池市场，并具有巨大的商业潜力。作为被美国能源部和其他知名太阳能电池研究机构列为最有发展前景的薄膜太阳能电池技术，铜铟镓硒薄膜太阳能电池技术正凭借着其广泛的优势吸引着越来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面铜铟镓硒溅射靶材，其特征在于：由铜、铟、镓和硒构成Cu?In?Ga?Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为（20?25）：（10?19）：（6?12.5）：（50?60）。

【技术特征摘要】
1.一种平面铜铟镓硒派射祀材，其特征在于:由铜、铟、镓和硒构成Cu-1n-Ga-Se2四元合金体系，其中铜、铟、镓和硒的原子比为(20-25):(10-19):(6-12.5): (50-60)。2.一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)将铜、铟、镓和硒置于行星球磨罐中在氩气保护下球磨，过筛，得混合粉末； (2)将混合粉末置于石墨模具中于热压机中在氮气保护下加压成型，即得平面铜铟镓硒溅射靶材。3.根据权利要求2所述的一种平面铜铟镓硒溅射靶材的制备方法，其特征在于:步骤(I)中，铜的纯度为99.999%，铟的纯度为99.999%，镓的纯度为99.999%，硒的纯度为99.999% ;所述铜、铟、镓和硒的原子比为(20-25):(10-19):(6-12.5): (50-60)。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐从康，
申请(专利权)人：无锡舒玛天科新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：