制造太阳能电池的靶材料制造技术

本发明专利技术提供一种用于制造太阳能电池的溅射靶材装置。所述靶材装置包括选自由铜、铟以及钼组成的金属或者合金，并且进一步包括混合于所述金属的基质中的锑或含锑化合物。所述靶材装置包含0.1重量%到20重量%的锑和至少80重量%的所述金属。所述靶材装置被安装于沉积系统中，用于形成掺杂锑的后电极或形成在多个前驱物层的堆叠中掺杂锑的至少一个前驱物层，以便形成半导体光伏吸收体材料。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造用于光伏应用中的半导体的靶材料。仅举例来说，本专利技术应用于制造用于制造太阳能电池的薄膜光伏材料的溅射靶材，但应认识到，本专利技术具有更广泛的应用范围。
技术介绍
利用光伏效应的太阳能电池将日光直接转化成电力。其由半导体材料制成，所述半导体材料被特别功能化，从而通常经由形成P-η结以便驱动由光子激发的电子来构建耗尽区的内部电场。基本上，当日光照在太阳能电池上时，日光的特定部分被吸收于半导体材料内。所吸收的光的能量被转移到半导体材料的原子中的电子上，这激发了电子并且使其与原子的结合松弛一些， 从而使其自由流动。经由每一太阳能电池中跨p-n结的内建电场，形成电压以迫使通过光吸收释放的那些电子在某一方向上流动。这一电子流动是电流，其可以通过在太阳能电池的顶部和底部上放置金属触点来收集。此电流以及与内建电场相关的太阳能电池电压定义了太阳能电池可以产生的功率。薄膜太阳能电池技术之一是由铜铟镓二硒化物(硫化物)CIGS(S)化合物半导体形成光伏吸收体，所述半导体包括至少铜(Cu)、铟(In)、镓(Ga)、硒(Se)和/或硫(S)材料。其称为CIGS技术。采用CIGS(S)光伏本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于制造太阳能电池的溅射靶材装置，其包含：来自由铜、铟以及钼组成的群组的金属；和混合于所述金属的基质中的锑或含锑化合物，其中所述靶材装置包含0.1重量%与20重量%的锑和至少80重量%的所述金属。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李德林，
申请(专利权)人：深圳首创光伏有限公司，
类型：发明
国别省市：