接合体、功率半导体装置及它们的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种接合体、功率半导体装置及它们的制造方法。首先，在第1金属板(101)中的接合部形成区域之上布置包含氧化膜去除剂的水溶液(103)。接下来，在配置了水溶液(103)的状态下，将第2金属板(102)载置于第1金属板(101)之上。然后，从上下方向对第1金属板(101)和第2金属板(102)彼此的接合部形成区域施加载荷，从而将第1金属板(101)和第2金属板(102)相互接合来形成接合部(110)，并制造接合体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及将被接合部件彼此进行接合的技术。本专利技术尤其涉及。
技术介绍
以往，作为将异种或同种的金属彼此进行接合的一种接合方法，有对被接合部件彼此施加载荷来进行接合的冷压接方法(例如参照专利文献I)。以下，参照图8(a) 图8(c)对以往的冷压接方法进行说明。首先，如图8(a)所示，将在表面及背面形成有镀敷层8a的板体2a、和在表面及背面形成有镀敷层8b的板体2b重叠。在此，镀敷层8a、8b由镍(Ni)构成，板体2a、2b由铜(Cu)构成。接着，如图8 (b)及图8 (C)所示，使挤压模6a的各抵接面隔着镀敷层8a而与板体2a抵接，并在箭头A的方向上进行加压。同样地，如图8(b)及图8(c)所示，使挤压模6b的各抵接面隔着镀敷层8b而与板体2b抵接，并在箭头B的方向上进行加压。此时，由于铜的延展性比镍还大，故被相互压接的镀敷层8a、8b无法追踪板体2a、2b的塑性流动，到达断裂点而被分裂。结果，在镀敷层8a、8b已分裂的板体2a、2b的区域内形成由新生面构成的压接部分5。在此，即便氧化膜介于镀敷层8a、8b和板体2a、2b之间，该氧化膜也会追踪镀敷层8a、8b的分裂而移动，新本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：南尾匡纪，笹冈达雄，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：
国别省市：