【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种基于预先产量分析的动态调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统及方法。
技术介绍
随着集成电路技术工艺的不断提高和生产成本的不断提升,晶圆生产企业往往以增加增快流片数量来获得更多经济效益。由此需要更加注重对晶圆缺陷的控制,避免某一流程出现问题影响到更多的晶圆生产,造成巨大的经济损失。针对后段铜制程工艺流程,包括铜阻挡层工艺阶段到铜金属层工艺阶段,铜金属层工艺阶段到铜化学研磨层工艺阶段,铜化学研磨层工艺阶段到化学气相沉积层工艺阶段,在上述3个不同的工艺阶段中每个步骤停留的时间间隔长短会直接影响到晶圆的缺陷情况,造成产品良率不良。目前针对这3个工艺流程,在自动化不完善的情况下普遍采用的是在不同的工艺步骤上控制停留时间,产品从结束某个工艺流程时开始计时,晶圆在规定时间内继续下一个工艺步骤则计时清零并在需要的站点上重新计时,如果超过规定的停留时间就直接将产品派给相关的部门使其尽快处理。在这种情况下,如果这3个工艺步骤中的任何一个后续工艺流程生产机器出现问题无法有效及时处理产品,就算在全自动化的生产车间内也会使大量产品堆积在某站点 ...
【技术保护点】
一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,包括:获得具有停留时间限制的当前工艺阶段,获得当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目;基于所述当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目,获得当前工艺阶段的最大停留时间;若所述最大停留时间大于规定停留时间,则减小前一工艺阶段的产能,反之,预计增大前一工艺阶段的产能之后的当前工艺阶段的预计最大停留时间,若所述预计最大停留时间小于等于规定停留时间,则增大前一工艺阶段产能,反之,则维持前一工艺阶段的产能。
【技术特征摘要】
1.一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,包括:获得具有停留时间限制的当前工艺阶段,获得当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目; 基于所述当前工艺阶段的规定停留时间、产能、当前等待生产的产品数目,获得当前工艺阶段的最大停留时间; 若所述最大停留时间大于规定停留时间,则减小前一工艺阶段的产能,反之,预计增大前一工艺阶段的产能之后的当前工艺阶段的预计最大停留时间,若所述预计最大停留时间小于等于规定停留时间,则增大前一工艺阶段产能,反之,则维持前一工艺阶段的产能。2.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜金属层工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜阻挡层工艺阶段。3.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜金属层工艺阶段。4.如权利要求1所述的调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的方法,其特征在于,所述当前工艺阶段为化学气相沉积工艺阶段,所述前一工艺阶段为铜化学机械研磨工艺阶段。5.一种调整具有停留时间限制的工艺阶段产能的系统,其特征在于,包括:当前工艺阶段的...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱陆君,倪棋梁,龙吟,陈宏璘,王洲男,
申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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