磁记录用软磁性合金、溅射靶材及磁记录介质制造技术

本发明专利技术提供饱和磁通密度、非晶性、结晶化温度及耐腐蚀性优异的热辅助磁记录介质用软磁性合金、其溅射靶材及磁记录介质。该合金以at％计，包含Fe：0～70％、(A)5～20％的选自Ti、Zr、及Hf中的1种或2种以上的元素、(B)0～30％的选自Cr、Mo、及W中的1种或2种以上的元素、(C)0～30％的选自V、Nb、及Ta中的1种或2种以上的元素、(D)0～30％的选自Ni及Mn中的1种或2种元素、(E)0～5％的选自Al及Cu中的1种或2种元素、以及(F)0～10％的选自Si、Ge、P、B、及C中的1种或2种以上的元素，余部含有Co及不可避免的杂质。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于作为硬盘驱动器用热辅助磁记录介质中的软磁性底层(SUL层)使用的Co系磁记录用软磁性合金、以及使用了该合金的溅射靶材及磁记录介质。
技术介绍
近年来，磁记录技术的进步十分明显，为了实现驱动器的大容量化，磁记录介质的高记录密度化正在推进之中，正在研究与以往普及的垂直磁记录介质相比可以进一步实现高记录密度化的热辅助磁记录方式。热辅助磁记录方式是在利用激光加热磁记录介质的同时记录数据的方式。当磁记录介质的高密度化推进时，磁性记录的数据因周围的热的影响而消失的热起伏的问题就会变得明显。为避免该热起伏的问题，需要提高记录介质中所用的磁性材料的顽磁力。但是，如果顽磁力过高，就会无法记录。解决该问题的方式是热辅助磁记录方式。另一方面，当加热记录介质时，顽磁力就会下降，从而可以记录，当记录后介质冷却时，顽磁力会再次变高，因此在热起伏方面变强。作为热辅助方式用的磁记录介质，例如研究过日本特开2010-182386号公报(专利文献I)中所示的磁记录介质。像该专利文献I中公开的那样，对于软磁性层要求非晶，而热辅助方式如上所述，要将记录介质加热。由此，对于专利文献I 中所示的软磁性层用合金，要求即使在加热时也不会结晶化的、足够高的结晶化温度。但是，根据日本特开2001-110044号公报(专利文献2)，专利文献I中所示的软磁性层的结晶化温度约为400°C (670K)，因此存在发生结晶化的问题。另夕卜，在增本健著《7 * > 7 7 ^金属Q基礎(无定形金属的基础)》OHM公司、1982，P94(非专利文献I)中所公开的组成下，显示出800K左右的结晶化温度，然而由于使用了 S1、Ge、P、B、C之类的半金属，因此在用于软磁性层中时在耐腐蚀性方面存在问题。另夕卜，就非磁性的合金而言，如非专利文献2中所示，也介绍过显示出超过800K的结晶化温度的合金，然而在软磁性膜用途中，要求具有磁性，因此无法适用。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2010-182386号公报专利文献2:日本特开2001-110044号公报非专利文献非专利文献1:增本健著《7 ^ ^ 7 7 ^金属0基礎(无定形金属的基础)》0ΗΜ公司、1982，P94非专利文献2:0H JE, WOOLLAM J A, AYLESffORTHKD, SELLMYER D J, POUCH J J、JAppl Phys.，Vol.60，N0.12PP.4271 4286，1986专利技术的内容如上所述，对于专利文献I中的合金的软磁性层要求非晶，然而由于热辅助方式要将记录介质加热，因此就专利文献I中所示的软磁性层而言存在发生结晶化的问题。另夕卜，如果是非专利文献I中公开的组成，则显示出800K左右的结晶化温度，然而由于使用了S1、Ge、P、B、C之类的半金属，因此在用于软磁性层中时在耐腐蚀性方面存在问题。本专利技术人等此次得到如下的见解，S卩，在Co合金中，(I)利用Zr、Hf和/或Ti这样的非晶化促进元素的添加可以确保无定形性；(2)利用V、Nb、Ta、Cr、Mo和/或W的添加可以实现高结晶化温度，并且还可以有助于无定形性的提高；(3)利用Ni和/或Mn的添加可以调整饱和磁通密度；(4)利用 Al和/或Cu的添加可以实现耐腐蚀性的提高；(5)利用S1、Ge、P、B和/或C的添加可以实现无定形性的改善，从而可以提供能够实现优异的特性的磁记录用软磁性合金。所以，本专利技术的目的在于，提供饱和磁通密度、非晶性、结晶化温度及耐腐蚀性优异的热辅助磁记录介质用软磁性合金、使用了它的溅射靶材及磁记录介质。根据本专利技术的一个方式，提供一种磁记录用软磁性合金，其以at%计，包含:Fe:0 70%、(A) 5 20%的选自T1、Zr、及Hf中的I种或2种以上的元素、(B)O 30%的选自Cr、Mo、及W中的I种或2种以上的元素、(C)O 30%的选自V、Nb、及Ta中的I种或2种以上的元素、(D)O 30%的选自Ni及Mn中的I种或2种元素、(E)O 5%的选自Al及Cu中的I种或2种元素、以及(F) O 10%的选自S1、Ge、P、B、及C中的I种或2种以上的元素，余部含有Co及不可避免的杂质。根据本专利技术的另一个方式，提供以如上所述的磁记录用软磁性合金制作的溅射靶材。根据本专利技术的另一个方式，提供具备以如上所述的磁记录用软磁性合金制作的软磁性膜的磁记录介质。具体实施例方式以下对本专利技术进行具体说明。只要没有特别的明示，本说明书中“ ”就是指at%。本专利技术的磁记录用软磁性合金以at %计包含Fe:0 70%、(A) 5 20%的选自T1、Zr、及Hf中的I种或2种以上的元素、(B)O 30%的选自Cr、Mo、及W中的I种或2种以上的元素、(C)O 30%的选自V、Nb、及Ta中的I种或2种以上的元素、(D)O 30%的选自Ni及Mn中的I种或2种元素、(E)O 5%的选自Al及Cu中的I种或2种元素、以及(F)O 10%的选自S1、Ge、P、B、及C中的I种或2种以上的元素，余部含有Co及不可避免的杂质，优选由这些元素实质性地构成，更优选仅由这些元素构成。本专利技术的合金含有O 70 %、优选20 70 %、更优选30 50 %的Fe。Fe是用于获得软磁性材料的元素，然而如果超过70%，则耐腐蚀性劣化。本专利技术的合金含有5 20%、优选6 15%、更优选9 14%的选自T1、Zr、及Hf中的I种或2种以上的(A)组元素。T1、Zr及Hf在Co系合金中是用于确保非晶化(无定形化性)的元素，如果这些元素的合计含量为5 20%，则可以充分地实现无定形化。根据本专利技术的优选的方式，合金也可以含有5 30%、优选10 25%的选自Cr、Mo、及W中的I种或2种以上的(B)组元素。Cr、Mo及W是在Co合金中用于实现高结晶化温度的元素，如果该元素的I种或2种以上的合计含量为5 30%，则可以充分地实现该效果，并且有助于无定形化。根据本专利技术的优选的方式，也可以将㈧组元素与⑶组元素的和设为10 35%。如果是该范围内，则可以有助于无定形化，并且可以有效地防止磁性的降低。根据本专利技术的优选的方式，合金也可以含有30%以下、优选20%以下、更优选10%以下的选自V、Nb、及Ta中的I种或2种以上的(C)组元素。V、Nb及Ta在Co合金中是用于明显地提高耐腐蚀性、并且促进无定形化的元素，特别是在与(B)组复合添加的情况下可以实现高耐腐蚀性和高结晶化温度。如果这些元素的合计含量为30%以下，则有助于无定形化。根据本专利技术的优选的方式，合金也可以含有30 %以下、优选20 %、更优选10 %的选自Ni及Mn中的I种或2种(D)组元素。Ni及Mn在Co合金中是用于调整饱和磁通密度的元素，如果这些元素的合计含量为30%以下，则可以获得优异的磁性。根据本专利技术的优选的方式，合金也可以含有5%以下的选自Al及Cu中的I种或2种(E)组元素。Al及Cu在Co合金中是用于提高耐腐蚀性的元素，如果这些元素的合计含量为5%以下，则有助于无定形化。根据本专利技术 的优选的方式，合金也可以含有10%以下的选自S1、Ge、P、B、及C中的I种或2种(F)组元素。S1、Ge、P、B及C在Co合金中是改善无定形性的元素，如果这些元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.26 JP 2010-240184;2011.04.19 JP 2011-092631.一种磁记录用软磁性合金，其特征在于，以at %计,包含:Fe:0 70%、(A)5 20%的选自T1、Zr、及Hf中的I种或2种以上的元素、(B)O 30%的选自Cr、Mo、及W中的I种或2种以上的元素、(C)O 30%的选自V、Nb、及Ta中的I种或2种以上的元素、(D)O 30%的选自Ni及Mn中的I种或2种元素、(E)O 5%的选自Al及Cu中的I种或2种元素、以及(F)O 10%的选自S1、G e、P、B、及C中的I种或2种以上的元素，余部含有Co及不可避免的杂质。2.根据权利要求1所述的磁记录用软磁性合金，其中，所述合金以81:%计,仅由:Fe:0 70%、(A)5 20%的选自T1、Zr、及Hf中的I种或2种以上的元素、(B)O 30%的选自Cr、Mo、及W中的I种或2种以上的元素、(C)O 30%的选自V、Nb、及Ta中的I种或2种以上的元素、...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩之，
申请(专利权)人：山阳特殊制钢株式会社，
类型：
国别省市：