【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属材料
,涉及。
技术介绍
200910096940. 4号申请公开一种钴基块体非晶合金,该合金的分子简式为CoaFebNbcB22.4Si5.6,并满足 60 < a < 65,2 < b < 5,3 < c < 7。该申请还公开了该钴基块体非晶合金的制备方法。该合金具有较高的饱和磁感应强度,其Is在O. IT以上,O. 8T以下;具有低矫顽力,其H。在0.8A/m以下,O. lA/m以上;具有高有效磁导率,IKHz下其11。在10000以上,60000以下。但是该合金体系中的B含量过高,增加了材料的脆性。另外其饱和磁导率太低,不能满足使用要求。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述技术缺陷,提供一种钴基非晶薄带合金材料,该薄带合金材料具有高饱和磁导率。本专利技术的另一目的是提供一种钴基非晶薄带合金材料制备方法,该制备方法工艺简单,合金熔化也容易操作,生产成本低,适于工业化生产。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的 一种高饱和磁导率钴基非晶薄带合金材料,其特征是该材料各成分的重量百分含量 ...
【技术保护点】
一种钴基非晶薄带合金材料,其特征是:该材料中各成分的重量百分含量为:Gd?4%~7%,Si?0.3%~0.5%,Nb?0.01%~0.03%,?Al?1%~3%,?Fe?0.5%~0.9%,?Rh?0.01%~0.05%,Mo?0.01%~0.05%,Ge?0.01%~0.05%,其余为Co。
【技术特征摘要】
1.一种钴基非晶薄带合金材料,其特征是该材料中各成分的重量百分含量为Gd4% 7%,Si O. 3% O. 5%,Nb O. 01% O. 03%,Al 1% 3%,Fe O. 5% O. 9%,Rh O. 01% O. 05%,Mo O. 01% O. 05%,Ge O. 01% O. 05%,其余为 Co。2.一种钴基非晶薄带合金材料的制备方法,其特征是具体步骤如下 (1)首先按照Gd 4% 7%,Si O. 3% O. 5%,Nb O. 01% O. 03%,Al 1% 3%,Fe O. 5% 0.9%, Rh O. 01% O. 05%,Mo O. 01% O. 05%,Ge O. 01% O. 05%,其余为Co的重量百分含量进行配料,其中Si、Nb、Al、Fe、Rh、Mo、Ge、Co的纯度均大于99. 9%, Gd以...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙锐,郑泽昌,邱奕婷,陆阳平,张咏,刘光宇,林莹莹,张金花,
申请(专利权)人:山西三益强磁业有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。