一种钴基非晶薄带合金材料及制备方法技术

技术编号:8128522 阅读:223 留言:0更新日期:2012-12-26 23:49
本发明专利技术提供一种钴基非晶薄带合金材料及其制备,该薄带合金材料不仅具有低矫顽力、高饱和磁导率。其制备方法工艺简单,合金熔化也容易操作,生产成本低,适于工业化生产。本发明专利技术的钴基非晶薄带合金材料,其成分的重量百分含量为:Gd4%~7%,Si0.3%~0.5%,Nb0.01%~0.03%,Al1%~3%,Fe0.5%~0.9%,Rh0.01%~0.05%,Mo0.01%~0.05%,Ge0.01%~0.05%,其余为Co。钴基非晶薄带合金材料的组织特点为非晶。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于金属材料
,涉及。
技术介绍
200910096940. 4号申请公开一种钴基块体非晶合金,该合金的分子简式为CoaFebNbcB22.4Si5.6,并满足 60 < a < 65,2 < b < 5,3 < c < 7。该申请还公开了该钴基块体非晶合金的制备方法。该合金具有较高的饱和磁感应强度,其Is在O. IT以上,O. 8T以下;具有低矫顽力,其H。在0.8A/m以下,O. lA/m以上;具有高有效磁导率,IKHz下其11。在10000以上,60000以下。但是该合金体系中的B含量过高,增加了材料的脆性。另外其饱和磁导率太低,不能满足使用要求。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述技术缺陷,提供一种钴基非晶薄带合金材料,该薄带合金材料具有高饱和磁导率。本专利技术的另一目的是提供一种钴基非晶薄带合金材料制备方法,该制备方法工艺简单,合金熔化也容易操作,生产成本低,适于工业化生产。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的 一种高饱和磁导率钴基非晶薄带合金材料,其特征是该材料各成分的重量百分含量为Gd 4% 7%,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种钴基非晶薄带合金材料,其特征是:该材料中各成分的重量百分含量为:Gd?4%~7%,Si?0.3%~0.5%,Nb?0.01%~0.03%,?Al?1%~3%,?Fe?0.5%~0.9%,?Rh?0.01%~0.05%,Mo?0.01%~0.05%,Ge?0.01%~0.05%,其余为Co。

【技术特征摘要】
1.一种钴基非晶薄带合金材料,其特征是该材料中各成分的重量百分含量为Gd4% 7%,Si O. 3% O. 5%,Nb O. 01% O. 03%,Al 1% 3%,Fe O. 5% O. 9%,Rh O. 01% O. 05%,Mo O. 01% O. 05%,Ge O. 01% O. 05%,其余为 Co。2.一种钴基非晶薄带合金材料的制备方法,其特征是具体步骤如下 (1)首先按照Gd 4% 7%,Si O. 3% O. 5%,Nb O. 01% O. 03%,Al 1% 3%,Fe O. 5% 0.9%, Rh O. 01% O. 05%,Mo O. 01% O. 05%,Ge O. 01% O. 05%,其余为Co的重量百分含量进行配料,其中Si、Nb、Al、Fe、Rh、Mo、Ge、Co的纯度均大于99. 9%, Gd以...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙锐郑泽昌邱奕婷陆阳平张咏刘光宇林莹莹张金花
申请(专利权)人:山西三益强磁业有限公司
类型:发明
国别省市:

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