适合于溅射靶材的合金制造技术

本发明专利技术的课题在于提供一种利用雾化法容易制造的适合于溅射靶材的合金，为了解决该课题，提供一种合金，其包含选自Co和Fe中的至少1种、B和C，其余量由不可避免的杂质构成，该合金整体中的C的浓度为50ppm以上且950ppm以下，该合金中的、除了C和不可避免的杂质以外的Co、Fe和B的组成由通式(Co

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】适合于溅射靶材的合金


[0001]本专利技术涉及适合于溅射靶材的合金。详细而言，本专利技术涉及溅射靶材的制造中使用的合金。

技术介绍

[0002]磁随机存取存储器(MRAM)具有磁隧道结(MTJ)元件。MTJ元件表现出高隧道磁阻(TMR)信号、低开关电流密度(Jc)等特征。
[0003]磁隧道结(MTJ)元件通常具有用由Co
‑
Fe
‑
B系合金形成的2片磁性层夹着由MgO形成的遮挡层的结构。该磁性层是通过使用了由Co
‑
Fe
‑
B系合金形成的靶材的溅射而得到的薄膜。在国际公开WO2015
‑
80009号公报(专利文献1)中，提出了一种磁性材料溅射靶，其中，由B的含量为17at％以上且40at％以下，剩余部分为选自Co或Fe中的一种以上元素的烧结体构成。在专利文献1中还公开了在该磁性材料溅射靶中配合0.5at％以上且20at％以下的选自Al、Cr、Cu、Hf、Mn、Ni、Ru、Si、Ta和W中的一种以上元素的技术。
[0004]现有技术文献<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种合金，其包含选自Co和Fe中的至少1种、B和C，其余量由不可避免的杂质构成，该合金整体中的C的浓度为50ppm以上且950ppm以下，该合金中的、除了C和不可避免的杂质以外的Co、Fe和B的组成由通式(Co
X
‑
Fe
100
‑
X
)
100
‑
Y
‑
B
Y
表示，该式中，X为0以上且100以下，Y为10以上且65以下。2.根据权利要求1所述的合金，其中，所述合金还包含其他金属元素，在将该金属元素设为M时，该合金中的、除了C和不可避免的杂质以外的Co、Fe...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川浩之，
申请(专利权)人：山阳特殊制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：