磁记录介质的软磁性层用Co系合金制造技术

本发明专利技术的课题在于，提供能够得到强韧性优异的靶、并且能够得到饱和磁通密度小的软磁性层的Co系合金，为了解决上述课题，本发明专利技术提供一种磁记录介质的软磁性层用Co系合金，其含有选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下、以及选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且10at％以下，余量为Co、Fe和不可避免的杂质，元素XA与元素XB的合计含有率低于30at％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁记录介质的软磁性层用Co系合金
本专利技术涉及磁记录介质的软磁性层。详细而言，本专利技术涉及适合磁记录介质的软磁性层的Co系合金。
技术介绍
对于磁记录介质而言，大容量是重要的。为了实现大容量，需要高记录密度化。采用面内磁记录方式的介质已被普及。近年来，代替该介质，采用垂直磁记录方式的介质(垂直磁记录介质)不断普及。垂直磁记录介质中，易磁化轴相对于磁性膜中的介质面沿垂直方向取向。垂直磁记录介质适合于高记录密度。垂直磁记录介质具有磁记录层和软磁性层。垂直磁记录介质进一步在磁记录层与软磁性层之间具有籽晶层、基底膜层等。软磁性层防止在记录时从磁头产生的磁通量的扩散，确保垂直方向的磁场。专利文献1(日本特开2006-294090公报)中公开了一种软磁性层，其材质为Fe-Co系合金。专利文献2(日本特开2008-299905公报)中公开了一种软磁性层，其为含有Zr、Hf、Nb、Ta等非晶质化促进元素的Co系合金。该Co系合金的饱和磁通密度大。大的饱和磁通密度能够有助于高记录密度。专利文献3(日本特开2011-68985公报)中公开了一种软磁性层，其材质为含有Y且含有Ta或Nb的Co系合金。该Co系合金的饱和磁通密度大。大的饱和磁通密度能够有助于高记录密度。专利文献4(日本特开2011-99166公报)中公开了一种软磁性层，其材质为含有Zr、Hf、Y、Ta、Nb等的Co系合金。该Co系合金的饱和磁通密度大。大的饱和磁通密度能够有助于高记录密度。大的饱和磁通密度是“侧写”的原因。该“侧写”是在合金通过写入用磁头被磁化的状态下，磁的影响超过必要地波及到周围的广范围的现象。发生“侧写”的磁记录介质中，每单位记录信息的写入所需的空间大。“侧写”阻碍磁记录介质的高记录密度。从抑制“侧写”的观点出发，提出了饱和磁通密度经调整的软磁性层。专利文献5(日本特开2015-144032公报)中公开了一种饱和磁通密度为0.5T-1.1T的软磁性层。专利文献6(日本特开2016-84538公报)中公开了一种饱和磁通密度为0.34T-1.18T的软磁性层。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2006-294090公报专利文献2：日本特开2008-299905公报专利文献3：日本特开2011-68985公报专利文献4：日本特开2011-99166公报专利文献5：日本特开2015-144032公报专利文献6：日本特开2016-84538公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题如前所述，从抑制“侧写”的观点出发，近年来，指向饱和磁通密度小的软磁性层。为了抑制饱和磁通密度，向合金添加元素是有效的。但是，向合金添加的元素会与Fe和Co一起形成金属间化合物。包含这样的金属间化合物的靶是脆的，在溅射中容易产生裂纹。本专利技术的目的在于，提供能够得到强韧性优异的靶并且能够得到饱和磁通密度小的软磁性层的Co系合金。用于解决问题的手段根据一个观点，本专利技术提供一种磁记录介质的软磁性层用Co系合金。本专利技术涉及的磁记录介质的软磁性层用Co系合金含有选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下、以及选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且10at％以下。该合金中，余量为Co、Fe和不可避免的杂质，元素XA与元素XB的合计含有率低于30at％。根据另一观点，本专利技术提供一种磁记录介质的软磁性层用溅射靶。本专利技术涉及的磁记录介质的软磁性层用溅射靶的材质由本专利技术涉及的Co系合金制成。即，本专利技术涉及的磁记录介质的软磁性层用溅射靶的材质为Co系合金，该Co系合金含有选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下、以及选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且10at％以下。该合金中，余量为Co、Fe和不可避免的杂质，元素XA与元素XB的合计含有率低于30at％。根据再另一观点，本专利技术提供一种磁记录介质。本专利技术涉及的磁记录介质具有软磁性层，该软磁性层含有本专利技术涉及的Co系合金。本专利技术涉及的磁记录介质中的软磁性层通过使用材质为Co系合金的靶的溅射而得到，该Co系合金含有选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下、以及选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且10at％以下。该合金中，余量为Co、Fe和不可避免的杂质，元素XA与元素XB的合计含有率低于30at％。专利技术效果由本专利技术涉及的Co系合金能够得到耐裂纹性优异的靶。另外，由本专利技术涉及的Co系合金能够得到难以发生“侧写”的磁记录介质。具体实施方式以下，基于优选的实施方式详细说明本专利技术。[合金]本专利技术涉及的磁记录介质的软磁性层用Co系合金适合于溅射靶。该Co系合金的组成为：元素XA：11at％以上且25at％以下、元素XB：0.4at％以上且10at％以下、以及余量：Co、Fe和不可避免的杂质。[基础元素]作为Co系合金的基础的元素为Fe和Co。含有Fe和Co的软磁性层可以发挥充分的磁性。凭借该软磁性层，磁记录层的磁化稳定。Fe的含有率(at％)与Co的含有率(at％)之比优选为10∶90以上且90∶10以下。包含该比值为10∶90以上的合金的软磁性层能够抑制饱和磁通密度。从该观点出发，该比值特别优选为20∶80以上。包含该比值为90∶10以下的合金的软磁性层能够有助于磁记录介质的高记录密度。从该观点出发，该比值特别优选为80∶20以下。[元素XA]元素XA选自由Nb、Mo、Ta和W构成的组A。作为元素XA，可以从组A选择1种元素，也可以选择2种以上的元素。元素XA能够有助于软磁性层的非晶性。元素XA还能有助于抑制饱和磁通密度。从这些观点出发，Co系合金中的元素XA的含有率优选11at％以上，更优选13at％以上，特别优选15at％以上。元素XA与Fe或Co一起形成金属间化合物。该金属间化合物脆。由含有该金属间化合物的合金得到的靶在溅射时容易产生裂纹。从靶的耐裂纹性的观点出发，元素XA的含有率优选25at％以下，更优选23at％以下，特别优选21at％以下。需要说明的是，在从组A选择2种以上的元素的情况下，“元素XA的含有率”是指该2种以上的元素的合计含有率。[元素XB]元素XB选自由V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn构成的组B。作为元素XB，可以从组B选择1种元素，也可以选择2种以上的元素。元素XB能够抑制饱和磁通密度。元素XB是第4周期元素。另一方面，作为基础的Fe和Co也是第4周期元素。因此，即使添加元素XB，也基本不会生成Fe与元素XB的金属间化合物，也基本不会生成Co与元素XB的金属间化合物。元素XB使靶难以脆化。通过添加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录介质的软磁性层用Co系合金，其含有：/n选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下；以及/n选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且10at％以下，/n余量为Co、Fe和不可避免的杂质，/n所述元素XA与所述元素XB的合计含有率低于30at％。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180820 JP 2018-1540161.一种磁记录介质的软磁性层用Co系合金，其含有：
选自Nb、Mo、Ta和W中的1种或2种以上的元素XA：11at％以上且25at％以下；以及
选自V、Cr、Mn、Ni、Cu和Zn中的1种或2种以上的元素XB：0.4at％以上且1...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中优衣，新村梦树，
申请(专利权)人：山阳特殊制钢株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP