【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及种植香菇以及其它栽培蘑菇的领域。新近提出的方法和适于实施该方法的设备用于香燕、平燕(糙皮侧耳)、金针燕、Bruno Shilej1、舞鸾、Erengyi1、Shi_take和其它栽培蘑菇，它们是通过在堆肥/基质(生长基)的通风期间控制氧气量和适宜的温度来种植的。本专利技术与用于种植香菇的设备和方法密切相关。
技术介绍
据信，香菇种植的源头可追溯到1700年，然而，香菇种植在法国在十九世纪才开始流行和成熟。当时已知的香菇种植方法不是非常有成效的，在香菇生长的所有阶段内缺乏材料同质化，上述方法由于存在细菌、孢子和疾病以及不卫生而是危险的，而且具有由堆月巴(香菇种植是废物回收的一种特定方式，其中用于种植香菇的基质是由马粪、鸡粪与秸杆混合制成的)发出的特别难闻的气味，不过，这确实就是种植香菇的开始阶段，其导致研发和改善种植香菇过程的所有另外工作。用于种植香菇的主要系统是在中国形成的，但经过一段时间，这个工作延及到了欧洲和美洲。在十九世纪末，开始分析香菇种植灭菌的问题；在二十世纪初创建形成搁架的理念，这在美洲和欧洲成为香菇种植领域内的基础和标准，而在1970...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.10.11 LT 20100831.香菇种植系统，其包括: 处理材料； 搁架构造； 控制单元；以及 通风系统； 其特征在于香菇种植系统具有局部通风搁架系统(1)，用于在所有的需要通风过程的香菇生长阶段中对处理材料(3)进行局部通风， 至少包括: 所述处理材料(3)，其 根据生长阶段/状态需要局部通风(处理)； 搁架构造(2)，调整并确保处理材料(3)的放置及其局部通风；以及 局部通风系统(4)，确保处理材料(3)的局部通风； 其中: 所述处理材料(3)，根据生长阶段/状态，是在香菇种植过程中使用的堆肥、基质或其它材料； 搁架构造(2)，连接到管道系统(7)或其它系统，具有通风和空气/气体供应的功能； 局部通风系统(4)，确保所述处理材料(3)的局部通风，其包括: 所述管道系统(7)，确保将受控空气/气体流量供应给搁架构造(2)或从搁架构造(2)排放流量； 通风底部(5)，集成到搁架构造(2)内，确保将所述空气流量、氧气流量或其它浓度的气体流量进行局部分配，以及将这些局部分配的流量供应到处理材料(3)或从处理材料(3)排放流量； 通风元件(6)，连接到所述通风底部，将所分配的空气流量/氧气流量或其它浓度的气体流量局部引导到处理材料或处理材料的单独部分； 通风元件(6)，连接到通风底部，从处理材料或处理材料的单独部分局部引导所分配的空气流量/氧气流量或其它浓度的气体流量。2.根据权利要求1所述的香菇种植系统,其特征在于: 所述的通风底部(5)可以是平坦形式，凹入形式，凸出形式，规则或不规则的形式；所述通风元件(6)的形式和数量确保所分配的局部流动的方向可以有所不同。3.根据权利要求1-2任一项所述的香菇种植系统，其特征在于所述搁架构造(2)可以是盒，容器，包装，包装系统，透气性网眼结构或任何形式的其它容器，针对蘑菇生长的过程做出显著调整。4.根据权利要求1-3任一项所述的香菇种植系统，其特征在于以各种方式进行处理材料(3)的通风，且气流可以在不同的方向上移动，例如: 从底部到顶部或从顶部至底部， 其中，当使用通风底部(5)时，空气流以90°角或其它技术实施角度从底部引导到顶部或从顶部引导到底部； 从内部到外部， 其中具有管道形式的通风元件(8 )安装到基质/堆肥的形成体(3 )内，进入到处理材料(3 )内部的供应空气通过所述通风元件(8 )从内部到达外部或反之亦然，其中具有管道形式的所述通风元件(8)可以不同的方式布置，例如垂直地、水平地或以其它方式布置； 或以其它技术可用方式。5.香菇种植方法，包括使用香菇种植系统，其特征在于所述香菇种植系统为根据上述权利要求1 一 4任一项所述的香菇种植系统。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于当使用适于处理材料(3)的局部通风系统(4)时，其确保在处理材料(3)内或处理材料的单独部分/地点内进行温度控制。7.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于其可应用于种植任何栽培蘑菇，例如用于种植:香燕、平燕(糙皮侧耳)、金针燕、Bruno Shilej1、舞鸾、Erengyii> Sh1-take和其它栽培蘑菇，其中在种植过程的堆肥/基质(生长基)的通风过程中控制空气(氧气)量和/或温度。8.根据权利要求5-7任一项所述的方法，其特征在于当使用所述的局部通风系统(4)时，从堆肥收集多余的热量，其可随后使用以便干燥基质及制备生物燃料，加热相同的场所或其它场所，冷却相同的场所或其它场所，转换为电力等。本发明的目的在于提供种植香菇及其它栽培蘑菇的一种新方法，包括使用搁架系统和通风设备以便有效且均等地对堆肥/基质进行通风，以及定性/精确地控制搁架和其部分上的温度。使用集成到搁架内的通风和管理设备/系统的方法确保给存在于搁架上的营养培养基提供尤其均匀的氧气供应；不仅在搁架上进行非常定性/精确的温度控制，而且还在搁架任何部分内进行局部的温度控制；对营养培养基的非常高的同质化控制；在营养培养基的制备过程中显著降低电力消耗；将营养培养材料内的厌氧进程终止到最低程度；香菇生长的整个周期缩短10-30% ;从同一面积采集的产量增大10-30% ;显著降低香菇种植的主要成本。此外，这种新的种植方法是自然友好的，以及其减少使用化石燃料。当使用该生产方法时，基质的制备更标准化，剩下更少的不受控过程，基质制备技术对于每一蘑菇种植者而言都可以获得。用于种植香菇以及其它栽培蘑菇的局部通风设备及其使用方法 技术领域 [1]本发明涉及种植香菇以及其它栽培蘑菇的领域。新近提出的方法和适于实施该方法的设备用于香燕、平燕(糙皮侧耳)、金针燕、Bruno Shilej1、舞鸾、Erengyi1、Shi_take和其它栽培蘑菇，它们是通过在堆肥/基质(生长基)的通风期间控制氧气量和适宜的温度来种植的。本发明与用于种植香菇的设备和方法密切相关。技术背景 [2]据信，香菇种植的源头可追溯到1700年，然而，香菇种植在法国在十九世纪才开始流行和成熟。当时已知的香菇种植方法不是非常有成效的，在香菇生长的所有阶段内缺乏材料同质化，上述方法由于存在细菌、孢子和疾病以及不卫生而是危险的，而且具有由堆肥(香菇种植是废物回收的一种特定方式，其中用于种植香菇的基质是由马粪、鸡粪与秸杆混合制成的)发出的特别难闻的气味，不过，这确实就是种植香菇的开始阶段，其导致研发和改善种植香菇过程的所有另外工作。用于种植香菇的主要系统是在中国形成的，但经过一段时间，这个工作延及到了欧洲和美洲。在十九世纪末，开始分析香菇种植灭菌的问题；在二十世纪初创建形成搁架的理念，这在美洲和欧洲成为香菇种植领域内的基础和标准，而在1970年，创建技术发酵室(掩体)或隧道，其使得能够从蘑菇生长来区分堆肥巴氏灭菌和菌丝体孵化阶段，即蘑菇基质的巴氏灭菌和孵化被转移到单独的专门配备的场所。从1970年以来，出现了多项专利，在上述专利中分析和解决了在香菇生长的不同阶段中出现的问题，但是，这些都是对种植香菇进行的更加定量的改进，由此蘑菇产量每平方米增加22公斤至40公斤，而生产过程基本保持相同，由于设备相同，即其生产力和效率得到了提高。需要强调的是存在着与香菇种植相关的各种问题:日益复杂的生化反应和不确定性，其原因在于香菇生长的过程依赖于许多已知和未知因素。试验结果仅仅示出基质的主要质量指标；然而，与标准(norm)相对应的结果通常不能确保在所制备的基质上将获得预期收益。制造商/种植者考虑到色、香、衰减率和许多其它可测量和几乎不可测量的参数，在很长一段时间内收集/形成上述知识。出于该原因，越来越多的世界各地的蘑菇堆肥制造商和最终产品的种植者专门从事他们最佳获知的某一项工作。[3]通常情况下，香菇种植包括5个阶段。在香菇生长的每个阶段出现不同的问题，因此已有的专利描述和解决了各种类型的问题。一些专利与附加元素/添加剂的发明相关，其制造和使用方法的目的是使得基质介质富有各种材料，从而允许所采集的蘑菇产量增加。[4]已知美国专利N0.US3942969，公布于1976年3月9日。该专利对放置有菌丝体的营养培养基进行了分析。该专利研究了培养菌丝体且人工富有变性蛋白质的材料。在种植菌丝体之前或之后，上述变性的蛋白质与基质混合。为了获得更好的效果，也添加植物油或鱼油。本发明的目的仅用于改进营养培养基使其富有营养成分。然而，上述仅涉及香菇种植过程的较少部分，且对培养基形成、巴氏灭菌和调整(制备)阶段/状态没有进行分析。[5]另一已知美国专利N0.US4990173，公布于1991年2月5日。该专利使用亲水性碳水化合物材料，其从一侧培养菌丝体网络，且从另一侧限制微生物的繁殖以及限制微生物到达菌丝体网络。该专利分析了关于能量积累以及微生物的香菇培养基的形成过程，但是，其并未涉及与基质形成、通风和温度控 制相关的任何问题。[6]已知韩国专利N0.KR20070078545，公布于2007年8月I日。该专利描述了堆肥的通风系统，其包括将空气供应到所述室以及给所述室通风的通风机，其中在上述过程中制备基质。在通风过程期间，在堆肥的外层内控制堆肥的氧气，但是这仅仅涉及外层，其原因在于温度和含氧量控制的问题仍存在于混合材料的内层内。[7]根据现有技术的最接近专利为1991年6月26日公布的欧洲专利EP0434159。该专利描述了一种所谓的隧道/掩体系统，其允许从蘑菇生长来区分堆肥巴氏灭菌和菌丝体孵化阶段。然而，在这些类型的隧道中存在几个问题。问题之一是由于所制备材料的层很厚(高达4米)，因此用于通风的电力消耗非常高。另一个问题是在这种隧道中的氧气分布不均等。产生这种情况的原因在于堆肥装载高度非常高以及在一些地方形成非常高密度的材料，而在其它地方形成过多空气从其流过的沟槽。由于在局部形成密度过高或过低的所述区域，因此在基质的整体质量中不能获得材料同质性。[8]需要强调的是香菇种植的技术存在一些非常重要的问题，这些问题迄今在全世界还没有得到解决，这些问题是:在香菇种植的所有/各个阶段/状态中的温度和/或通风控制以及用于制备基质介质以及维持室内当前温度的电力消耗高。一方面，由于面临天然生化反应，在释放出大量热能的该过程期间，均等地去除过多热量是非常重要的方面之一。在另一方面，在所制备的材料中自然地发生厌氧和好氧进程，且在种植香菇的技术中仅仅需要好氧进程，而厌氧进程是特别不希望的。[9]为了使得好氧进程顺畅而不发生厌氧进程，在所制备的材料中不仅要广泛地(外部地)而且要局部地确保有效的含氧量，即在所有所制备的材料中氧气分布是非常重要的。因为在缺乏氧气存在的地方，会立即出现厌氧进程，导致衰败及不希望的微生物的快速繁殖。[10]下面描述种植香菇和其它栽培蘑菇的基本新颖的方法，包括所需设备及其使用方法。该制备方法有效地解决了前面所提及的通风、温度和材料同质性控制的问题，以及显著降低了电力消耗。[11]当使用这种香菇生产/种植的方法时，用于生长所需的时间缩短，生产量增加，因此降低最终产品(蘑菇)的主要成本。也减小了有害微生物的问题，而该方法的附加/专门使用可以节省电力。当使用这种新颖的生产方法时，蘑菇基质的制备变得更标准，剩下较少的不受控进程，每位蘑菇种植者都能获得基质制备技术。该技术在生态方面尤其重要，由于可以使用基质制备过程中所释放出的热量，因此用于种植每公斤蘑菇所需的电力显著减少，且可杜绝使用化石燃料。然而，目前用于制备适于种植香菇基质的加工厂是将多余的热量简单地排放到大气中，同时种植者燃烧燃料以便保持蘑菇生长的预定温度。发明的公开 技术问题 技术方案 [13]本发明的目的是提供一种新颖的种植香菇和其它栽培蘑菇的方法，包括相应设备及其使用方法。 [14]本发明的主要特征是在种植香菇的过程中不使用前述的隧道技术，而是返回到搁架系统，然而，其 以一种完全不同于以往的使用方式来种植蘑菇，即整合非常有效的局部通风系统，其可以从所述搁架上的堆肥/基质到适于种植蘑菇的充满堆肥或基质的搁架可局部和均等地进行非常有效地通风。此外，与空气一起，这种集成的通风系统排放出多余的热量，且当使用这种类型的系统时，其可定性/精确地控制温度。此外可以不仅从外部(如现有技术中的那样)而且从内部精确地控制在搁架和/或其部分上的室内温度。[15]这种集成到搁架内的局部通风和控制设备/系统及其使用方法确保: [16]将氧气完全均等地供给到营养培养基(在搁架上)(局部地和广泛地)； [17]不仅对整个搁架而且对搁架的每一部分(目前，通过观察和改变环境空气的参数仅在外部对生长室内的堆肥进行温度控制)进行非常定性/精确地温度控制； [18]对营养介质进行极高的同质化控制(当确保定性的空气供应和定性/精确地温度控制时，堆肥的质量和同质性也显著增加)； [19]在营养培养基的制备过程中、尤其是在巴氏灭菌和菌丝体孵化阶段显著降低电力消耗； [20]将营养培养材料中的厌氧进程降到最低； [21]香菇的整个生产周期减短10-30%； [22]相同面积的产量增长10-30%； [23]种植香菇的主要成本显著减少(不需要从所制备基质的遥远工厂运送基质，使用堆肥所释放出的二次热量可允许达到20%至40%的主要成本降低)； [24]此外，这种新颖的种植方法可以保护大自然及其资源:显著减少化石燃料的使用。这种方法的使用不仅节约电力，同时也从采摘后的蘑菇基质来制备生物燃料。该基质可用于生物发电厂和锅炉房。当使用这种制备方法时，所制备的蘑菇基质更加标准，剩下较少的不受控进程，且基质制备技术对于每一蘑菇种植者而言都可得到。有益效果 附图说明 [26]图1示出用于种植香菇及其它栽培蘑菇的局部通风搁架系统的整体示意图。[27]图2示出局部通风系统的一种实施方式的整体示意图，其中从底部到顶部进行处理材料的局部通风。[28]图3同样示出局部通风系统的实施方式的示意图，其中从内部到外部进行处理材料的局部通风。最佳模式 [29]目前，香菇种植过程包括五个阶段/部分:制备主要的堆肥体(阶段I)，堆肥巴氏灭菌以及形成所制备的营养培养基(阶段II)，菌丝体萌芽、孵化(阶段III)，形成原基(阶段IV)和蘑菇生长(阶段V)。[30]在阶段I制备主要的堆肥 体。上述堆肥体的基础由有机来源的材料制成，例如，马粪和/或鸡(鸟)粪与秸杆和水的混合物。此外，混合矿物质钙添加剂。上述材料的其它物质通常以足够的量存在。所有物质都被混合，且将该混合体以具有棱柱形式的堆肥堆的形式放置，或放置到特殊场所-掩体(隧道)内，其中堆肥通过将氧气自然供应到具有棱柱形式的堆或通过在隧道/掩体内使用强制方法来制成。[31]在阶段II的初期对堆肥进行巴氏灭菌。56-60°C度的高温与堆肥制备过程中所释放的氨一起破坏致病的蘑菇和微生物，然而，在该过程中保留有用的微生物。在巴氏灭菌(嗜热真菌是最有用的)之后保留的有用微生物在最佳温度45-50° C度下繁殖，且它们处理堆肥的材料以及形成适于香菇菌丝体的进一步繁殖的最佳介质。[32]在阶段III期间，菌丝体在所制备的营养培养基内萌芽并孵化，而在阶段IV期间，形成原基，以及在阶段V期间，最终产品(香菇)长成且采摘所述产物。[33]追溯到1970年，前述阶段II在所谓的生长搁架(容器、盒子)上实施，上述搁架被放置到由外部空气通风的室内。然而，这种类型的外部通风是不足够的，并且在阶段II之后的营养培养基在材料同质性和洁净度(微生物)方面的质量不是最好的。由于香燕种植过程中涉及到许多不同的问题、复杂的生化反应和不确定性，越来越多的蘑菇基质的制造商和最终产品的制造商只专长于他们最熟知的一项特定的工作，也就是说在1970年之后，当新的隧道系统出现时，与种植香菇相关的工作被重新分配:阶段I和II是在单独的空间实施(之后的阶段II1-孵化阶段一被转移到隧道)，并且阶段III，IV和V-在其他各自的场所内，其中两者之间的距离可能会达数千公里。但是，隧道系统仅解决了部分问题。此夕卜，在过去的40年里...
【专利技术属性】
技术研发人员：凯斯特蒂斯·茱希尔斯，
申请(专利权)人：EKO投资公司，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。