The utility model provides a graphite crucible used for direct pulling single crystal silicon, and the arc radius of the outer wall of the graphite crucible R is 60mm, and three exhaust gaps are added at the bottom of the graphite crucible. This structure makes the excessive wall thickness ratio from 99.5% to 82%, R decreased the internal stress, prolong the service life of the crucible, the oxide gas generated in the process of pulling crystal easily from the exhaust port timely discharge, reduce corrosion of crucible.
【技术实现步骤摘要】
—种用于直拉单晶硅的石墨坩埚
本技术涉及一种用于直拉单晶硅用高使用寿命的石墨坩埚。
技术介绍
石墨坩埚在使用一定时间后，拉晶体过程中经常出现坩埚R处破裂的异常现象，造成巨大损失。石墨坩埚破裂的原因除与石墨材质本身的因素外，主要与石墨坩埚的本身的结构设计有关。一方面，石墨坩埚在拉晶过程中不断存在加热-冷却-加热一冷却——的循环过程，这样导致坩埚在使用过程中不断的承受内应力的变化；另一方面，在拉晶体过程中产生的大量的氧化物，如不及时排除，在高温下易沉积在R处与石墨反应，使R处石墨减薄，强度下降。
技术实现思路
本技术提供一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚，该石墨坩埚外壁R处圆弧半径为60mm，在石墨坩埚底部增加三个V形排气缺口。这种结构使得壁厚过度比由99.5%降到82%，减少了 R处内应力，延长坩埚的使用寿命，使拉晶体过程产生的氧化物气体易从排气口及时排处，减少对坩埚的腐蚀。附图说明图1是坩锅局部立体图。I，坩锅外壁R处；2，排气缺口。具体实施方式用于直拉单晶娃的石墨樹祸，该石墨樹祸外壁R处(I)的圆弧半径由传统的25mm增加到60mm，使得壁厚过度比由99.5%降到82...
【技术保护点】
一种用于直拉单晶硅的石墨坩埚，其特征在于，该石墨坩埚外壁R处圆弧半径为60mm，在石墨坩埚底部增加三个V形排气缺口。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠安，张忠华，
申请(专利权)人：江西豪安能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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