本发明专利技术提供一种成膜装置，其提高成膜处理的稳定性。本发明专利技术的成膜装置（1）通过等离子体束（P）加热成膜材料（Ma），使从成膜材料（Ma）气化后的成膜材料粒子（Mb）附着在基板（11）上来成膜，其具备：真空容器（10），形成真空环境；主阳极（3），配置于真空容器（10）内，保持成膜材料，并且进行等离子体束（P）的引导；辅助阳极（4），以包围主阳极（3）的方式配置，且辅助由主阳极（3）进行的等离子体束（P）的引导，所述成膜装置中,辅助阳极（4）与真空容器（10）电性短路。由此，即使在成膜处理中产生导电性附着物的掉落等，也能够防止辅助阳极的电位的变化。其结果，能够防止成膜条件的变化，并能够提高成膜处理的稳定性。
Film forming device
The invention provides a film forming device, which improves the stability of film forming treatment. The film-forming apparatus (1) by plasma beam (P) heating film materials (Ma), from the film material (Ma) after gasification film-forming material particles (Mb) attached to the substrate (11) onto the film, comprising a vacuum container (10), the formation of a vacuum environment; the main anode (3), arranged in a vacuum container (10), to keep the film material, and plasma beam (P) guide; auxiliary anode (4), (3) to surround the main anode configuration, and assisted by the main anode (3) of the plasma beam (P) guide and the film forming device, auxiliary anode (4) and vacuum vessel (10) short circuit. As a result, the potential of the auxiliary anode can be prevented even when the drop of the conductive adhesive is generated in the film forming process. As a result, it can prevent the change of film forming conditions and improve the stability of film formation.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种成膜装置。
技术介绍
作为在被处理物的表面将成膜材料成膜的方法，例如有离子镀法。该离子镀法中，通过在真空容器内对成膜材料照射等离子体束来使成膜材料离子化并扩散，在被处理物的表面附着已离子化的成膜材料来成膜。例如专利文献I中公开有使用这种离子镀法的等离子体处理装置。专利文献1:日本特开平8-232060号公报专利文献I中记载的等离子体处理装置具有辅助炉床的电位不同于主炉床的电位及真空装置的电位的结构。这种等离子体处理装置中，在成膜处理中，由于导电性附着物在辅助炉床与真空容器之间掉落而与辅助炉床和真空容器接触，有可能辅助炉床与真空容器电性短路且辅助炉床的电位变化。如此，若在成膜处理中辅助炉床的电位发生变化，则有可能辅助炉床的放电状态发生变化导致成膜条件发生变化。因此，希望更进一步提高成膜处理的稳定性。
技术实现思路
因此，本专利技术是为了解决这种问题点而完成的，其目的在于提供一种具有能够提高成膜处理的稳定性的结构的成膜装置。为了解决上述课题，本专利技术所涉及的成膜装置为通过等离子体束加热成膜材料，使从成膜材料气化后的粒子附着在被成膜物上来成膜的成膜装置，其具备:真空容器，形成真空环境；主阳极，配置于真空容器内，保持成膜材料，并且进行等离子体束的引导；及辅助阳极，以包围主阳极的方式配置，且辅助由主阳极进行的等离子体束的引导，所述成膜装置中，辅助阳极与真空容器电性短路。在该成膜装置中，辅助阳极与真空容器电性短路。因此，即使在成膜处理中产生导电性附着物的掉落，也能够防止辅助阳极的电位的变化。其结果，能够防止成膜条件的变化，且能够提高成膜处理的稳定性。辅助阳极可具有用于辅助等离子体束的引导的电磁铁及容纳电磁铁的导电性容器，容器可与真空容器电性短路。在这种情况下，通过使辅助阳极的容器与真空容器电性短路，在通过电磁铁辅助 等离子体束的引导的辅助阳极中，能够防止在成膜处理中的辅助阳极的电位的变化。其结果，能够防止成膜条件的变化，也能够提高成膜处理的稳定性。可进一步具备支承辅助阳极的导电性支承部件，辅助阳极也可以经支承部件与真空容器电性短路。此时，能够通过仅将辅助阳极直接固定于支承部件的简单的结构使辅助阳极与真空容器电性短路。主阳极可具有主炉床。并且，主炉床可由导电性材料构成，并且具有向朝向被成膜物的方向延伸的圆筒状的外侧壁及设置于所述外侧壁的远离所述被成膜物的一侧的端部且向圆筒的径向伸出的板状部件。并且，可进一步具备设置于板状部件与支承部件之间的绝缘部件。此时，由于主阳极与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过绝缘部件绝缘，因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路，也能够防止对主阳极的影响，并能够防止成膜条件发生变化。支承部件可具有开口部，该开口部由以包围主阳极的外侧壁的方式设置的绝缘体构成。此时，即使导电性附着物在主阳极与支承部件之间掉落，主阳极与支承部件通过由绝缘体构成的开口部绝缘，因此能够防止对主阳极的影响，并能够防止成膜条件发生变化。主阳极可具有主炉床。并且，主炉床可由导电性材料构成，并且具有向朝向被成膜物的方向延伸的圆筒状的外侧壁及设置于所述外侧壁的远离所述被成膜物的一侧的端部且向圆筒的径向伸出的板状部件。并且，在板状部件与支承部件之间可设置有间隙。此时，由于主阳极与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过在它们之间设置间隙而被绝缘，因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路，也能够防止对主阳极的影响，并能够防止成膜条件发生变化。在支承部件与主阳极的外侧壁之间可设置有间隙。此时，由于主阳极的外侧壁与辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)通过在它们之间设置间隙而被绝缘，因此即使辅助阳极(及支承辅助阳极的支承部件)与真空容器电性短路，也能够防止对主阳极的影响，并能够防止成膜条件发生变化。可进一步具备设置于辅助阳极上的罩，罩可在主阳极上具有开口，并从辅助阳极延伸至真空容器的侧壁。此时，能够防止导电性附着物等侵入辅助阳极与真空容器之间，并能够简化维护操作。并且，能够防止等离子体束侵入辅助阳极与真空容器之间，并能够抑制异常放电等。罩可具有导电性，并与辅助阳极电性短路。此时，能够通过仅将罩载置于辅助阳极上的简单的结构防止导电性附着物及等离子体束侵入辅助阳极与真空容器之间。专利技术效果根据本专利技术，能够提高成膜处理的稳定性。附图说明图1是表示本实施方式所涉及的成膜装置的结构的概要截面图。图2是用于说明图1的成膜装置的电性连接关系的图。图3是表示图1 的成膜装置的变形例的结构的概要截面图。图中:1_成膜装置，3-主阳极，4-辅助阳极，4a_容器，4b_线圈(电磁铁)，5-支承部件，10-真空容器，IOd-侧壁，11-基板(被成膜物)，13-罩，Ma-成膜材料，Mb-成膜材料粒子，P-等离子体束。具体实施方式以下，参考附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。另外，在以下说明中对相同要件附加相同符号，并省略重复说明。图1是表示基于本实施方式所涉及的成膜装置的结构的概要截面图。本实施方式的成膜装置I为用于所谓离子镀法的离子镀装置。另外，为了便于说明，在图面上还示出XYZ正交坐标系。如图1所示，成膜装置I具备等离子体源2、主阳极3、辅助阳极4、支承部件5、传送机构7及真空容器10。真空容器10为通过未图示的真空泵形成真空环境的容器，通过导电性材料(例如铜、不锈钢等)构成。真空容器10具有:传送室10a，用于传送成膜对象即作为被处理物的基板11 (被成膜物)；成膜室10b，使成膜材料Ma扩散；及等离子体口 10c，其将从等离子体源2照射的等离子体束P收容于真空容器10内。。传送室10a、成膜室IOb及等离子体口 IOc相互连通。传送室IOa向预定传送方向(图中的箭头A)延伸且配置于成膜室IOb上。在本实施方式中传送方向A沿X轴设定。等离子体源2为压力梯度型等离子体源，并且其主体部分设置于成膜室IOb的侧壁(等离子体口 10c)。在等离子体源2中生成的等离子体束P从等离子体口 IOc向成膜室IOb内射出。等离子体束P的射出方向通过设置于等离子体口 IOc的未图示的转向线圈控制。主阳极3为用于保持成膜材料Ma，并且进行等离子体束P的引导的部分。主阳极3设置于成膜室IOb内，并且从传送机构7观察时配置于Z轴方向的负方向。主阳极3具有主炉床31。主炉床31为由导电性材料(例如铜、不锈钢等)构成的圆筒状部件，在该主炉床31的中央部形成有用于填充成膜材料Ma的开口。而且成膜材料Ma的前端部分从该开口露出。主炉床31向主炉床31本身或成膜材料Ma引导从等离子体源2射出的等离子体束P。另外，在主炉床31上设置有向朝向基板11的方向(Z方向)延伸的圆筒状外侧壁31a，及设置于外侧壁31a的端部(远离基板11侧的端部)的板状部件31b。板状部件31b呈比外侧壁31a更向径向(外侧壁31的圆筒形状的径向)伸出的形状。板状部件31b由导电性材料(例如铜、不锈钢等)构成。板状部件31b与后述的支承部件5的底板5a之间设置有绝缘部件5c。主炉床31的板状部件31b的上表面经绝缘部件5c连接于支承部件5的底板5a的下表面，且主炉床31与底板5a电性绝缘。主炉床31 (主阳极3)与底板5a (辅助阳极4)通过绝缘部件本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成膜装置，其通过等离子体束加热成膜材料，使从所述成膜材料气化后的粒子附着在被成膜物上来成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：真空容器，形成真空环境；主阳极，配置于所述真空容器内，保持所述成膜材料，并且进行所述等离子体束的引导；及辅助阳极，以包围所述主阳极的方式配置，且辅助由所述主阳极进行的所述等离子体束的引导，所述辅助阳极与所述真空容器电性短路。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：筑后了治，
申请(专利权)人：住友重机械工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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