【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及高平均功率重频激光器的普克尔盒，具体涉及一种应用于高平均功率大口径激光系统中的反射式透明导电膜电光开关。
技术介绍
在高平均功率重频激光系统中，为获得高功率的激光脉冲，通常采用重复频率的普克尔盒进行调Q和隔离。工作晶体有横向应用和纵向应用两种工作方式。在横向应用中，为了补偿热致双折射，需要两块晶体的装配严格匹配，增加了光程，产生严重的光学吸收。在纵向应用中，由于避免了使用两块工作晶体，工作晶体的光学吸收变小。对于常规的电光晶体的纵向应用，为满足晶体内部电场的均匀性，要求电光晶体的纵横比大于1，因此，开关口径为数厘米的工作晶体，会产生严重的光学吸收，导致光学退偏以及波前畸变。在高平均功率光负载下，普克尔盒开关的工作晶体温度由于光吸收会升高，产生温度梯度，折射率发生变化，引起透射光束的热退偏和波前畸变。《Large-Aperture Electrooptical Switches with Plasma Electrodes》一文提出使用低压等离子体作为电光晶体的电极，解决了传统方式大口径下工作介质太大以及由此严重的光学吸收问题。但是，等离子体放电腔内...
【技术保护点】
一种反射式透明导电膜电光开关，特征在于其构成包括所述的电光开关包括一个普克尔盒和一个用于起偏检偏的偏振片，所述的普克尔盒包括普克尔盒壳体（1），镀有透明导电膜的蓝宝石基片（4）、冷却气体通道（6）、DKDP晶体（5）、硅胶（2）、第一铜电极（7）、第二铜电极（8）、铜基反射镜（3）、进气口（9）和出气口（10），上述元部件的位置关系如下：所述的铜基反射镜（3）、DKDP晶体（5）、蓝宝石基片（4）与所述的普克尔盒壳体（1）之间均采用硅胶（2）进行真空封接；所述的DKDP晶体（5）镶嵌在普克尔盒壳体（1）中心方孔内；该DKDP晶体（5）的一面与所述的铜基反射镜（3）紧贴，另一...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孟繁霖，刘德安，张潇，缪洁，朱健强，
申请(专利权)人：中国科学院上海光学精密机械研究所，
类型：发明
国别省市：
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