一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法技术

本发明专利技术涉及一种利用电子束蒸发制备双晶体氧化铟锡纳米线的方法。主要使用铟、锡比例为95:5的氧化铟锡颗粒为原料，硅片、铝箔或载玻片为衬底，用电子束蒸发的方法制备双晶氧化铟锡纳米线，在特定的参数下得到一定产率的纳米线材料，并具有可大面积制备，操作方便等优点。本发明专利技术制备的双晶纳米线，其两块晶体具有任意的取向关系，与通常的单晶或其他孪晶结构的纳米线相比，具有不同的力学、热学、光学和电学特性，因此在半导体光电子学，微纳电子学和高灵敏度传感器件中可有特殊的应用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种双晶体氧化铟锡纳米线的制备方法，尤其涉及一种利用电子束蒸发制备双晶体氧化铟锡纳米线的方法，属于微电子学和信息电子学中先进微纳材料和结构制备的

技术介绍
纳米材料的制备和性质研究是目前国际上纳米科技领域的研究重点和热点课题。由于纳米材料的性能和其小尺寸，大比表面积等特性密切相关，因此对纳米材料结构的制备以及相关的性能和应用的研究可以直接指导纳米材料的应用。目前的研究表明，不同结构的纳米结构通常具有不同的性能，并且通过调控纳米材料的结构可以获得优化的材料特性。基于此，不同结构的纳米材料的制备在纳米科技领域扮演着基石的作用。氧化铟 锡材料是一种半导体领域常用的功能材料。未掺杂的氧化铟是可见光透明的N型半导体，通过锡掺杂可以极大改良其导电行为并保留其可见光透明。氧化铟锡纳米材料兼具有良好的导电行为和光学特性，同时具有良好的生物亲和性。因此近年来氧化铟锡纳米材料被广泛用于太阳能电池板、半导体发光二极管和生物传感器等领域。目前，氧化铟锡纳米材料有颗粒状、薄膜状、线状和棒状等形态。不同形态的纳米材料具有不同的用途。其中氧化铟锡纳米线由于具有高比表面积，便于使用和制备的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备双晶氧化铟锡纳米线的方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将铟和锡比例为95:5的氧化铟锡原料颗粒装入用于电子束蒸发的石墨或铜坩埚内作为蒸发源；（2）把需要在表面制备双晶氧化铟锡纳米线的物品作为衬底，并清洗干净后置入蒸发腔中固定，同时安放好蒸发源；（3）将蒸发仪真空室的真空抽至低于10?4?Pa后，加热衬底温度在250℃，待真空和衬底温度稳定后，准备蒸发；（4）开启电子束，逐步提高电子束的电流使蒸发源开始蒸发，通过蒸发仪的石英晶振厚度检测仪控制蒸发速度在1?3?nm/s；（5）蒸发一定时间待衬底上得到所需的双晶氧化铟锡纳米线厚度时，结束制备取出样品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：万能，刘楚山，刘海滨，
申请(专利权)人：孝感市瑞晟机电制造有限公司，
类型：发明
国别省市：