在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法。本发明专利技术将等离子体源引入化学气相沉积法技术制备石墨烯薄膜的过程中，在无催化非金属基底上制备出均匀的石墨烯薄膜。该方法改进了传统的化学气相沉积法制备石墨烯的技术，直接在半导体和绝缘体介质基体材料的表面生长石墨烯以实现目标应用，克服了传统方法难以在曲面或者具有三维结构的表面获得均匀高质量石墨烯薄膜的缺点，省去了传统化学气相沉积法制备石墨烯后续所必需的金属刻蚀和石墨烯转移的步骤。本发明专利技术利用等离子体增强效应，有效降低了石墨烯的制备温度，既节能又实用，同时节省工序，降低成本，在制作透明电极材料以及构建电子和光电子器件等方面具有很好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于石墨烯制备
，具体的涉及一种制备石墨烯薄膜的方法。
技术介绍
随着现代信息技术的高速发展，硅材料本身较低的电光系数、低的发光效率等缺点阻碍了硅材料在高速、高宽带数据传输领域的应用，而石墨烯的发现为未来超高速网络通讯的发展注入了新鲜血液。以石墨烯为代表的狄拉克材料从问世开始就不断受到世界各国科研人员的广泛关注，已然成为新的研究热点。作为一种独特的二维晶体，石墨烯有着优异的机械性能，超高的热导率和载流子迁移率及相对高的载流子饱和漂移速度，使得石墨烯在晶体管、太阳能电池、传感器、超级电容器、超快电子器件及电路等领域有着良好的应用前景。特别是与传统半导体材料相比，石墨烯在电子和光电子领域更是占尽优势，如石墨烯的热导率是硅的36倍以上，是砷化镓的100倍；其载流子迁移率为2X IO5Cm2.V—1.S-1，比硅快100倍，比砷化镓快20倍，且不随温度变化；其光学损伤阈值比硅和砷化镓高出3个数量级；其三阶非线性系数更是达到了 10_7e.S.u.，比硅高4个数量级。石墨烯可以实现的光电功能非常丰富，其可以集光发射、传导、调制和探测于一身。从实用技术的角度看，传统硅基光电子器本文档来自技高网...

【技术保护点】
在非金属基底上低温制备石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1)对非金属基底进行清洗处理，其包括以下步骤：101)首先，将所述非金属基底放入氧等离子体清洗机中进行处理一段时间；102)然后，将所述非金属基底放入真空反应炉中，通入少量的氢气，在700℃以上保温处理一段时间；步骤2)在非金属基底上制备石墨烯薄膜，其包括以下步骤：201)将步骤102中处理好的非金属基底置于石英玻璃片上，而后将载有非金属基底的石英玻璃片放入真空反应炉中；202)用真空泵将真空反应炉抽至压强在10mTorr以下的低压状态，然后通入低流量的甲烷气体使真空反应炉压强达到50?350mTorr左右，并调节真空泵抽速...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍桥梁，林生晃，陈彩云，袁建，李鹏飞，许梦，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：