本发明公开了与硅光波导集成的石墨烯异质结光探测器的制备方法，步骤为：1）对SOI衬底的顶层硅进行电子束光刻和刻蚀，在其上表面形成硅光波导；2）采用等离子增强化学气相沉积（PECVD）方法在SOI衬底和硅光波导上覆盖一层二氧化硅层；3）采...

本发明公开了一种与硅光波导集成的石墨烯异质结光探测器，该器件通过CMOS兼容工艺形成于SOI衬底之上，包括一硅光波导，一二氧化硅层，一石墨烯层、一二硫化钼层、一电极层，一电极层；硅光波导位于SOI衬底之上，二氧化硅层位于硅光波导和SOI...

一种非金属衬底表面制备氮掺杂石墨烯的方法，首先清洗非金属衬底的表面，然后将其放入管式CVD系统中的高温区部分；接着将炉温在15-30分钟内升高到600-1000℃之间，并该过程中通入空气，并在上述温度范围内维持20-60分钟，随后缓慢降...