为破坏晶圆表面电路的去除设备制造技术

本实用新型专利技术涉及一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，特别系指一种可在晶圆厂内破坏晶圆表面电路的去除设备，该去除设备包含有一去除装置、一输送装置、一入料装置及一出料装置，其中入、出料装置系设于输送装置两端，且输送装置可将晶圆加载去除装置内部，而去除装置系于输送装置之晶圆上方设有复数喷砂单元，喷砂单元系以水平方式进行喷砂，又去除装置于晶圆下方设有一抽风单元，其可利用抽风之风力使喷砂向下刮除、破坏晶圆表面之护层与电路，透过前述之间接喷砂之特殊设计，使其可直接于晶圆厂进行破坏晶圆表面电路布局的工作，以防止晶圆电路布局外泄。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

为破坏晶圓表面电路的去除设备
本技术涉及一种破坏晶圓表面电路布局的
，具体而言系 指一种仅破坏电路、且不伤及硅基板的去除设备。背景4支术按，由于硅基板(Silicon Substrate)具有极佳的绝缘性与应变性， 因此其被广泛的应用于半导体与太阳能光电之制程上，做为承载用之基 板，而受到能源的短缺，使硅基板的价格日益高涨，由于一般用于半导体 制程的硅基板，为了符合其制程设备及多道重复溅镀、蚀刻的制程，其外 缘被要求为圓盘状，外径需为8寸或12寸，且厚度需达725咖+/-25um， 而用于太阳能光电制程的硅基板的外缘形状与尺寸规格较不受限制，且其 所需的厚度仅约300um即可，因此太阳能光电厂为了降低成本，通常系收 购半导体厂在制程中所产生的不良品或破片，而在去除硅基板表面金属层 后，再重新加工用于太阳能板上；然现有半导体厂在考虑不良品之晶圆表面上，已形成完整的电路布局 (Pattern),为了避免泄露客户的Know-How与知识产权，因此一般通常 会先将不良品予以打碎，再回炉重新磊晶形成硅基板，如此对半导体厂出 售破碎晶圆的价格极低，且对太阳能厂而言，其更需要重新蟲晶，而增加 处理的时间、流程与成本；因此如能将半导体厂所产生的不良晶圓完整的出售，则不仅极大提高 其售价、增加半导体厂的收入，且也可以减少后续处理的程序与不便，进 而提升其经济效益，然欲完整出售不良晶圆前，需先克服如何去除晶圆表 面电路的问题，且在去除电路的过程中不能伤及硅基板，以降低再生过程 中的破片率，然现有具体公开使用之设备及数据中，从未教示一种可满足前述去除晶圆电5^求的方法，因此如能解决此一问题，则可提升处理不 良晶圓的价值。
技术实现思路
本技术之主要目的在于提供一种为破坏晶圓表面电路的去除设 备，可于半导体厂直接去除晶圆表面之电路，防止泄露客户机密，并可提 高硅基板回收的经济价值。本技术是这样实现的，为破坏晶圓表面电路的去除设备，包含有一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水 平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，去除装置内部下段设有一抽风单元， 该抽风单元可将喷^^少单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向；一输送装置，其设于去除装置内，供将晶圆加载与移出去除装置内部， 且输送装置穿设于去除装置的喷砂单元与抽风单元之间； 一入料装置，其设于输送装置的入料端；一出料装置，其设于输送装置的出料端。该去除设备组装于可移式载具上。该去除装置上设有 一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。 另夕卜，本技术结构也可以这样实现，为破坏晶圆表面电路的去除 设备，包含有 一去除装置，其于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂 单元系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，又去除装置内部下段设有 一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变 喷射方向，而晶圓可承载于喷砂单元与抽风单元间。该去除装置上设有一用以吸除去除装置内砂尘的集尘单元。 本技术前述技术手段的具体展现，让本技术可利用间接喷砂 之特殊设计，使其可直接于晶圆厂进行破坏晶圆表面电路布局的工作，以 防止晶圆电路布局外泄，同时可避免伤及硅基板，让晶圆硅基板可再生做为量测晶圓或太阳能板之硅基板，而能增加其附加价值，进而提升其回收 的经济效益。附图说明图l是本技术去除设备之示意图。图2是本技术去除设备之去除单元示意图。图3是本技术去除晶圓表面电路之动作示意图。图4是本技术去除晶圆表面电路后之示意图。主要组件符号说明1O去除装置11喷砂单元12抽风单元15集尘单元2 0输送装置30入料装置4 0出料装置O晶圆5 l硅基板52薄膜5 5金属电路56去电路层具体实施方式本技术系一种为破坏晶圆表面电路的去除设备，请参看图l所揭 示，其系本技术之结构图，本技术系可供组装于可移式载具上， 如一般货拒车或推车等，供于各半导体厂间移动回收晶圆，而本技术去除设备主要包含有一去除装置1 0 、 一输送装置2 0 、 一入料装置3 0 及一出料装置4 0;其中如图2所示，该去除装置1 0内部上段设有复数喷砂单元1 1 ,且各 喷砂单元l 1系呈水平设备，使其砂粒系呈水平状喷出，以避免直接喷在 晶圆5 0表面，又去除装置1 0内部下段设有一抽风单元1 2 ,该抽风单 元1 2可将喷砂单元1 1喷出之砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向，再者去除装置1 0上设有一集尘单元1 5 ，其用以吸除去除装置1 0内的砂 尘，以避免破坏环境；又输送装置2 0系设于去除装置1 0内，供将晶圓5 0加载与移出去 除装置1 0内部，且输送装置2 0系穿设于去除装置1 0的喷砂单元1 1 与抽风单元1 2之间，使喷砂单元1 1位于晶圓5 0上方，而抽风单元1 2位于晶圓5 0下方；再者入料装置3 0系设于输送装置2 0之入料端，用以将晶圓1 1移 至输送装置2 0上，以达自动化操作之便；另出料装置4 0系设于输送装置2 0之出料端，用以将晶圆1 l移出 输送装置2 0,并装填于容置盒内，供自动化操作；藉此，组构成一种为破坏晶圆表面电路的去除设备。而关于本技术之实际使用状态，则仍请同时参看图l至图5所示， 不良之晶圆5 0在离开无尘室后，利用入料装置3 0将晶圆5 O载送至输 送装置2 0上，并由输送装置2 0送入去除装置1 O内部，于定位后，同 时启动喷砂单元1 1与抽风单元1 2 ，如图2所示，当喷砂单元1 1之砂 粒水平喷出后，可避免冲击力极大的砂粒直接喷击于下方的晶圓5 O金属 层5 5表面，而藉由抽风单元l 2之抽动，使喷砂单元l l水平喷出之砂 粒可改变冲击方向，而向下击打于晶圆5 0之金属层5 5表面，由于其系 属非直接喷击，故可减緩砂粒喷击的力道，而能避免砂粒伤及晶圆5 0内 部的薄膜5 2与硅基板5 1,如此可有效的去除金属层5 5表面之电路； 而形成去电路层5 6,达到防止泄露晶圆5 O表面电路的目的。经由上述的说明，可以进一步理解到，本技术可以装在车体上进 入晶圆厂服务，以消除客户对电路外流的顾虑，且利用对晶圆5 O进行表 面特殊处理，达到消除电路的目的，而其只会处理掉金属层5 2,而不会 伤害到薄膜5 2或硅基板5 1 ,故可保持硅基板5 l的完整性，而能提高出售回收的价格，且减少后续的再生制程，大幅提高其经济效益，再者晶圆在电路被破坏之后，其厚度在未少于680um前，该回收晶圓50可被拿 来加工重制，并生产出测试级晶圆片，其约可供做三~四次的测试级晶圆 片，而当其厚度低于680um时，则可用于当做大阳能板之基板，使晶圆可 被充分的利用。以上列举一较佳实施例，并配合图式及图号，对本技术的目的及 效能作进一步的说明，能使对本技术有更详细的了解，并使熟悉该项 技术者能据以实施，以上所述者仅在于解释较佳实施例，而非在于限制本 技术之范围，故凡有以本技术之创作精神为基础，而为本实用新 型任何形式的变更或修饰，皆仍属于本技术意图保护之范畴。权利要求1、为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于包含有一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
为破坏晶圆表面电路的去除设备，其特征在于包含有：　　　　一去除装置，其系于内部上段设有复数喷砂单元，且各喷砂单元呈水平设备，使其砂粒呈水平状喷出的，去除装置内部下段设有一抽风单元，该抽风单元可将喷砂单元喷出的砂粒向下吸动，使砂粒改变喷射方向；　　　　一输送装置，其设于去除装置内，供将晶圆加载与移出去除装置内部，且输送装置穿设于去除装置的喷砂单元与抽风单元之间；　　　　一入料装置，其设于输送装置的入料端；　　　　一出料装置，其设于输送装置的出料端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：廖桂敏，
申请(专利权)人：廖桂敏，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]