用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置，包括底座、设置于底座上表面的凹槽，设置于凹槽内的第一喷嘴，设置于底座两端的第二喷嘴，以及第二喷嘴的供水液路，底座一端固定于化学机械研磨装置的十字金属轴，其中：凹槽靠近十字金属轴的一端延伸至底座的外壁，此端设置有第三喷嘴；凹槽远离十字金属轴的一端的侧壁上设置有第四喷嘴；底座内部设有第三喷嘴的供水液路和第四喷嘴的供水液路。本实用新型专利技术可以对研磨台间清洗装置的凹槽及凹槽内的喷嘴，以及化学机械研磨装置的十字金属轴进行在线清洗，提高了化学机械研磨装置的自清洁能力，可降低颗粒超标和制品划伤的可能性，提高制品的成品率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种研磨台间清洗装置，具体涉及一种用于化学机械 研磨装置的研磨台间清洗装置。技术背景CMP设备是半导体行业用化学机械研磨装置的縮写。目前所使用的化学 机械研磨装置如图1所示，位于设备中心位置的十字金属轴13用于承载研 磨头(HEAD) 11和其上的压力控制系统部件的重量，并且可以使研磨头11进 行最大角度为235°的旋转，从而实现研磨头11在研磨台12上进行CMP工 艺。由于CMP设备在作业时需要用到药液，在化学机械研磨装置上设有研 磨台间清洗装置(Interplaten)lO，用于对研磨台12的周边进行清洗。研 磨台间清洗装置10 —端固定于十字金属轴13，每台化学机械研磨装置设置 四套研磨台间清洗装置10。如图2、图3所示，研磨台间清洗装置10的上 表面设置有凹槽3，凹槽3内设有五个第一喷嘴1。根据工艺的需要，在设 备故障时，五个第一喷嘴1可喷出纯水以冲洗制品表面，并保持制品湿润。 研磨台间清洗装置10的底部两端则各设有两个第二喷嘴2，定时对研磨台 (Platen) 12的底部进行冲洗。研磨台间清洗装置10底部设有供水液路4， 用于为第二喷嘴2供水。然而，由于研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于化学机械研磨装置的研磨台间清洗装置，包括底座、设置于底座上表面的凹槽，设置于凹槽内的第一喷嘴，设置于底座两端的第二喷嘴，以及第二喷嘴的供水液路，底座一端固定于化学机械研磨装置的十字金属轴，其特征在于：　　　　所述凹槽靠近十字金属轴的一端延伸至底座的外壁，此端设置有第三喷嘴；　　　　所述凹槽远离十字金属轴的一端的侧壁上设置有第四喷嘴；　　　　所述底座内部设有第三喷嘴的供水液路和第四喷嘴的供水液路；第三喷嘴的供水液路一端与第三喷嘴连接，另一端与第二喷嘴的供水液路连通；第四喷嘴的供水液路一端与第四喷嘴连接，另一端与第二喷嘴的供水液路连通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：牛晓翔，瞿治军，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31[中国|上海]