研磨垫调整器和化学机械研磨装置制造方法及图纸

技术编号:10754554 阅读:146 留言:0更新日期:2014-12-11 11:46
本实用新型专利技术提供一种研磨垫调整器,其至少包括:调整头、清洁刷;所述清洁刷设于所述调整头的外侧壁上。本实用新型专利技术的研磨垫调整器,结构简单,通过在调整头的外侧壁上套设清洁刷,在调整头与研磨头距离较近时,清洁刷能够对研磨头的定位环表面进行清洁;另外,清洁刷的刷毛分布均匀,清洁效果好,使晶圆免受粘附在定位环表面的研磨液结晶影响,从而提升了产品良率。此外,本实用新型专利技术还提供一种化学机械研磨装置,采用具有清洁刷的研磨垫调整器,在对晶圆进行化学机械研磨的过程中,能够及时去除飞溅到研磨头的定位环表面的研磨液,快速有效,无需经常清洗研磨头,保证了研磨头的正常工作时间,从而保证了每小时的晶圆出产量。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种研磨垫调整器,其至少包括:调整头、清洁刷;所述清洁刷设于所述调整头的外侧壁上。本技术的研磨垫调整器,结构简单,通过在调整头的外侧壁上套设清洁刷,在调整头与研磨头距离较近时,清洁刷能够对研磨头的定位环表面进行清洁;另外,清洁刷的刷毛分布均匀,清洁效果好,使晶圆免受粘附在定位环表面的研磨液结晶影响,从而提升了产品良率。此外,本技术还提供一种化学机械研磨装置,采用具有清洁刷的研磨垫调整器,在对晶圆进行化学机械研磨的过程中,能够及时去除飞溅到研磨头的定位环表面的研磨液,快速有效,无需经常清洗研磨头,保证了研磨头的正常工作时间,从而保证了每小时的晶圆出产量。【专利说明】研磨垫调整器和化学机械研磨装置
本技术涉及半导体
,特别是涉及一种研磨垫调整器和化学机械研磨 >J-U ρ?α装直。
技术介绍
化学机械研磨(CMP, Chemical Mechanical Polishing)是半导体工艺的一个步骤,亦称为化学机械抛光,其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术,是目前机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。晶圆制本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种研磨垫调整器,其特征在于,所述研磨垫调整器至少包括:调整头、清洁刷;所述清洁刷设于所述调整头的外侧壁上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:宋林飞
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造北京有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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