【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种化学机械抛光修整器，所述化学机械抛光修整器至少包括：圆盘衬底、隔离带和设置于所述圆盘衬底上的磨料颗粒；所述圆盘衬底具有中心区域；所述隔离带从所述中心区域延伸至圆盘衬底的边缘；所述隔离带将圆盘衬底等分，每条隔离带两侧的圆盘衬底分别为空白区和磨料颗粒排列区。本技术的化学机械抛光修整器通过隔离带将盘衬底设置为空白区和磨料颗粒排列区间隔分布，使整个圆盘衬底呈现有凹凸形状，有利于碎屑和副产物的排出，抛光泥浆分布更加均匀，降低晶圆刮伤的风险，且可以延长修整器的工作寿命。【专利说明】
本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种化学机械抛光修整器。 一种化学机械抛光修整器
技术介绍
在半导体工艺流程中，化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing, CMP)是非常重要的一道工序，有时也称之为化学机械平坦化（Chemical Mechanical Planarization，CMP)。所谓化学机械抛光，它是采用化学与机械综合作用从半导体硅片上 去除多余材料，并使其获得平坦表面的工艺过程。具体来说...
【技术保护点】
一种化学机械抛光修整器，其特征在于，所述化学机械抛光修整器至少包括：圆盘衬底、隔离带和设置于所述圆盘衬底上的磨料颗粒；所述圆盘衬底具有中心区域；所述隔离带从所述中心区域延伸至圆盘衬底的边缘；所述隔离带将圆盘衬底等分，每条隔离带两侧的圆盘衬底分别为空白区和磨料颗粒排列区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：唐强，洪中山，肖德元，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11
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