【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种抛光垫修整器的制造方法,尤其是利用特定轴向的蓝宝石,以影像转移方式产生表面微结构。
技术介绍
随着半导体及光电产业的蓬勃发展,科技日新月异的进展,对元件线宽的要求逐渐变小,以及电路积体化的高度发展,在整个半导体制程中,平坦化的制程日趋重要。现今以化学机械抛光法(Chemical Mechanical Polishing, CMP)最能够满足电子兀件制程中,高度平坦化的需求。 在化学机械抛光法中,所使用的抛光垫表面具有孔洞及纤毛两个结构,孔洞的目的是用以涵养抛光浆(slurry),而纤毛用以与工件机磨擦,如此,藉由学力与机械力的结合,去除表面不平整的部位。然而,抛光垫在抛光的过程中也会被钝化,可能产生的现象包含孔洞被移除的颗粒(particle)或研磨粒(abrasive)填塞空隙、纤毛因长时间的摩擦有磨耗等,这都会导致抛光效率的降低。 为了维持一定的抛光效率,而避免制程的停止,目前采用的方式是一边进行化学机械抛光,同时一边使用抛光垫修整器刮除表面颗粒及刮痕整理,而使得在抛光垫的表面产生新的孔洞以含养抛光液,以及产生新 ...
【技术保护点】
一种蓝宝石抛光垫修整器的制作方法,其特征在于,包含:一芯片单元产生步骤,将原料在高温炉熔料后,在特定轴向对晶种拉晶,而形成一特定轴向的一晶棒,再将该晶棒切片得到具有该特定轴向的一蓝宝石芯片;一影像转移步骤,在该蓝宝石芯片的表面上以影像转移的方式,形成多个微结构;以及一热处理步骤,将具有所述微结构的蓝宝石芯片放入一高温炉中进行一热处理,修复该蓝宝石芯片上的晶格缺陷,其中该特定轴向为a轴向、c轴向、r轴向、m轴向、n轴向以及v轴向的其中之一。
【技术特征摘要】
2013.03.25 TW 1021104971.一种蓝宝石抛光垫修整器的制造方法,其特征在于,包含: 一芯片单元产生步骤,将原料在高温炉熔料后,在特定轴向对晶种拉晶,而形成一特定轴向的一晶棒,再将该晶棒切片得到具有该特定轴向的一蓝宝石芯片; 一影像转移步骤,在该蓝宝石芯片的表面上以影像转移的方式,形成多个微结构;以及 一热处理步骤,将具有所述微结构的蓝宝石芯片放入一高温炉中进行一热处理,修复该蓝宝石芯片上的晶格缺陷, 其中该特定轴向为a轴向、C轴向、r轴向、m轴向、η轴向以及ν轴向的其中之一。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微结构的高度差小于5%。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微结构的外观形状为对称平头锥柱、对称尖头锥柱、不对称平头锥柱或不对称尖头锥柱。4.如权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员:魏匡灵,戴子轩,吕权浪,沈汶谚,钟润文,
申请(专利权)人:鑫晶鑽科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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