一种抛光垫制造技术

本发明专利技术公开了一种抛光垫，解决了现有抛光垫存在的抛光液分布不均、抛光速率和平整化程度有待进一步提高的问题。技术方案至少包括圆形的抛光层，所述抛光层上表面开有供抛光液流动的沟槽，所述沟槽由圆周走向型沟槽和径向走向型沟槽组成，所述圆周走向型沟槽是以抛光层圆心为中心的圆周走向的几何中心对称图形，所述图形的边m≥3，所述径向走向型沟槽是沿圆心向圆周方向散射出来的直线或/和曲线，且与圆周走向型沟槽具有交叉点。本发明专利技术结构简单、能使抛光液在抛光区均匀分布和流动，最大程度保持抛光区内抛光液中反应物和产物的浓度均匀、提高抛光速率、提高晶片平面化程度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及化学机械抛光领域，具体来说，是一种用来对磁性基材、光学基材和半导体基材中的至少一种进行抛光的抛光垫。
技术介绍
在集成电路和其他电子器件的制造过程中，将多层导电、半导体和介电材料沉积到半导体晶片表面上，然后又从半导体晶片表面上将其清除。可以使用许多沉积技术沉积导电、半导体和介电材料薄层。现代晶片加工中的常规沉积技术包括物理蒸气沉积(PVD)(也称为溅射)、化学蒸气沉积(CVD)、等离子体辅助的化学蒸气沉积(PECVD)和电化学镀等。常规蚀刻技术包括湿法和干法的各向同性和各向异性蚀刻等。随着各材料层按照顺序被沉积和蚀刻，晶片的上层表面变得不平坦。由于随后的半导体加工(例如光刻)要求该晶片具有平坦表面，所以需要对晶片进行平坦化。平坦化适合于除去不希望有的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面、成团材料、晶格损坏、划痕和被污染的层或材料。化学机械平坦化，即化学机械抛光(CMP)是用来对半导体晶片等工件进行平坦化的常用技术。在常规CMP中，将双轴线旋转抛光机、晶片载体或抛光头安装在载体组合件上。抛光头固定晶片，使晶片与抛光机中抛光垫的抛光层接触。抛光垫的直径大于被抛光晶片直径的二倍本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抛光垫，至少包括圆形的抛光层，所述抛光层上表面开有供抛光液流动的沟槽，其特征在于，所述沟槽由圆周走向型沟槽和径向走向型沟槽组成，所述圆周走向型沟槽是以抛光层圆心为中心的圆周走向的几何中心对称图形，所述图形的边m≥3，所述径向走向型沟槽是沿圆心向圆周方向散射出来的直线或/和曲线，且与圆周走向型沟槽具有交叉点。

【技术特征摘要】
1.一种抛光垫，至少包括圆形的抛光层，所述抛光层上表面开有供抛光液流动的沟槽，其特征在于，所述沟槽由圆周走向型沟槽和径向走向型沟槽组成，所述圆周走向型沟槽是以抛光层圆心为中心的圆周走向的几何中心对称图形，所述图形的边m≥3，所述径向走向型沟槽是沿圆心向圆周方向散射出来的直线或/和曲线，且与圆周走向型沟槽具有交叉点。2.如权利要求1或2所述的抛光垫，其特征在于，所述圆周走向型沟槽具有内角θ，内角θ定义为构成圆周走向型沟槽底部的底边与构成沟槽的远离圆心的侧边之间的夹角。3.如权利要求3所述的抛光垫，其特征在于，由抛光层的圆心向圆周方向，所述圆周走向型沟槽的内角θ的度数逐级增大。4.如权利要求4所述的抛光垫，其特征在于，由抛光层圆心向圆周方向，所述圆周走向型沟槽的内角θ的度数在180°—1°间逐级减小。5.如权利要求5所述的抛光垫，其特征在于，由抛光层圆心向圆周方向，所述圆周走向型沟槽的内角θ的度数在150°—30°间逐级减小。6.如权利要求4-6任一项所述的抛光垫，其特征在于，由抛光层圆心向圆周方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱顺全，梅黎黎，
申请(专利权)人：湖北鼎龙控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42