【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种深槽型超级结终端保护结构。本专利技术还涉及一种深槽型超级结终端保护结构的制造方法。
技术介绍
超级结MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)因其具有超级结结构，即在半导体衬底上具有交替排列的P型和N型硅外延柱层，使得该器件在截止状态下P型区和N型区的PN结产生耗尽层，从而提高器件的耐压。在超级结半导体器件的设计过程中，除了需要元胞区有足够高的耐压外，其终端区域结构的设计也对超级结耐压高低起到关键作用。通常的终端区域结构被设计成多个浮空的沟槽，沟槽填入P型多晶硅，通过这些P型多晶硅与N型外延层耗尽来减小横向电场，保护元胞区域不被横向电场击穿。深沟槽超级结产品是利用刻蚀深沟槽然后在深沟槽内用填充工艺(如EPI工艺)填入与衬底相反型的参杂硅来实现。对于产品的的终端保护环经常会使用间隔距离不等的沟槽环来形成终端保护结构。在设计中对于最外圈的沟槽环是宽度最窄的环。而在实际产品加工中，窄环的填充(比如EPI填充工艺)是最困难的，特别是在倒角(转角)的地方，会出现直边位置填充完全而在倒角(转角)位置出现填充的问题(如图1所示，比如出现空洞)，倒角(转角)处的深槽的填充如果不是非常充分(如存在空洞)，会导致超级结产品的终端保护不够，降低产品的击穿电压和可靠性。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种深槽型超级结终端保护结构在不会影响沟槽之间耗尽的情况下，能使沟槽环填充更加充分，能避免沟槽环倒角(转角)位置产生部分填充的情况，提高产品的性能和可靠性。本专利技术的超级结终端保护结构，包括在衬底上刻蚀有多条宽窄不同...
【技术保护点】
一种深槽型超级结终端保护结构，在衬底上刻蚀有多条宽窄不同，彼此间隔距离不同的沟槽环，芯片内部沟槽环内刻蚀有多条宽度相同的深沟槽，最外围沟槽环的宽度是a，芯片内部深沟槽宽度是b，a＜b；其特征是：所述最外围沟槽环在倒角处外侧变宽，所述最外围沟槽环倒角处沟槽宽度大于该沟槽其它位置沟槽宽度。
【技术特征摘要】
1.一种深槽型超级结终端保护结构，在衬底上刻蚀有多条宽窄不同，彼此间隔距离不同的沟槽环，芯片内部沟槽环内刻蚀有多条宽度相同的深沟槽，最外围沟槽环的宽度是a，芯片内部深沟槽宽度是b，a < b ;其特征是:...
【专利技术属性】
技术研发人员：王飞，雷海波，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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