【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器,特别是涉及一种大容量的薄膜电容器。
技术介绍
现有薄膜电容器中,由于电介质层的厚度变薄,故为提高电介质层的静电容量密度,而将介电常数高的材料用于电介质层。作为介电常数高的材料,现有一般采用钙铁矿型氧化物。例如,锆钛酸铅(PZT)、锫钛酸镧铅(PLZT)、铌镁酸铅(PMN)、钛酸锶钡(BST)等。该钙铁矿型氧化物通过将前驱体退火使其结晶化而得到,可通过在高温下退火来提高其介电常数,但是,为了提高介电常数,有时升高退火温度,有时延长退火时间等这样变更制造条件时,存在薄膜电容器的容量不能提高且泄漏电流增大的问题
技术实现思路
:本专利技术提出的薄膜电容器包括三层结构,自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。其中,该镍基板中,镍的含量大于或等于99.98重量%。其余0.02重量%为多种杂质。所述多种杂质包括:0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰,0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬,0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002重量%的钽。并且,该镍基板的厚度为100-300微米,优选为200微米。电介质层为钙钛矿结构的四方相锆钛酸铅PZT薄膜,其中该PZT薄膜的分子式为PbZr1-JixO3,其中X取值是:0〈χ〈1,优选X为0.05彡X彡0.85,该电介质层的厚度为1-5微米,优选2微米。电极层为金属电极层,可用的金属材料例如金、铜、铝等。该电极层的厚度为100-200微米,优选120微 ...
【技术保护点】
一种薄膜电容器,其具有三层结构,自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜电容器,其具有三层结构,自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。2.如权利要求1所述的薄膜电容器,其特征在于: 其中,该镍基板中,镍的含量大于或等于99.98重量%,其余0.02重量%为多种杂质;所述多种杂质包括:0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰,0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬,0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%...
【专利技术属性】
技术研发人员:钱时昌,
申请(专利权)人:溧阳华晶电子材料有限公司,
类型:发明
国别省市:
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