一种薄膜电容器的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜电容器，其具有三层结构，自下往上分别为镍基板、电介质层和电极层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容器的制造方法，特别是涉及一种大容量的薄膜电容器的制造方法。
技术介绍
现有薄膜 电容器中，由于电介质层的厚度变薄，故为提高电介质层的静电容量密度，而将介电常数高的材料用于电介质层。作为介电常数高的材料，现有一般采用钙铁矿型氧化物。例如，锆钛酸铅(PZT)、锫钛酸镧铅(PLZT)、铌镁酸铅(PMN)、钛酸锶钡(BST)等。该钙铁矿型氧化物通过将前驱体退火使其结晶化而得到，可通过在高温下退火来提高其介电常数，但是，为了提高介电常数，有时升高退火温度，有时延长退火时间等这样变更制造条件时，存在薄膜电容器的容量不能提高且泄漏电流增大的问题
技术实现思路
:本专利技术提出了，依次包括如下步骤:(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板I ;该镍基板I的厚度为100-300微米，优选为200微米。(3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中X取值是:0〈χ〈1，优选x为0.05≤X≤0.85，其中煅烧温度为950°C -1200°C，煅烧时间为2.5-3小时；(4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板I上，从而形成PbZivxTixO3电介质层2 ;该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。(5)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层2上，从而形成电极层3，该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。附图说明图1为本专利技术提出的制造方法所制得的薄膜电容器的剖面结构示意图。具体实施方式:下面通过具体实施方式对本专利技术进行详细说明。参见图1，本专利技术提出的薄膜电容器的制造方法依次包括如下步骤:(I)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的锰，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 ％ 的铬，0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅以及0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽；(2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板I ;该镍基板I的厚度为100-300微米，优选为200微米。(3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中煅烧温度为9500C _1200°C，煅烧时间为2.5-3小时；(4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板I上，从而形成PbZivxTixO3电介质层2，其中X取值是:0〈χ〈1，优选X为0.05 < X < 0.85 ;该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。(5)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层2上，从而形成电极层3，该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。其中，步骤(4)和(5)中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；而步骤(4)中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时间为60分钟；步骤(5)中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。以上实施方式已经对本专利技术进行了详细的介绍，但上述实施方式并非为了限定本专利技术的范围，本专利技术的保护范围由所附的权利要求限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜电容器的制造方法，该方法依次包括如下步骤：?（1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001?0.002重量%的铜、0.0005?0.0008重量%的锰，0.005?0.008重量%的铝、0.0005?0.001重量%的铬，0.004?0.006重量%的铁、0.0005?0.0012重量%的硅以及0.001?0.002重量%的锑以及0.001?0.002重量%的钽；?（2）将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板；?（3）按照四方相锆钛酸铅PbZr1?xTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中x取值是：0

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电容器的制造方法，该方法依次包括如下步骤: (1)准备如下配比的原料:大于或等于99.98重量％的镍锭、0.001-0.002重量％的铜、0.0005-0.0008 重量 % 的猛，0.005-0.008 重量 % 的铝、0.0005-0.001 重量 % 的铬，0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及0.001-0.002 重量 ％ 的钽； (2)将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板； (3)按照四方相锆钛酸铅PbZivxTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中X取值是:0〈χ〈1，优选x为0.05 ≤X ≤0.85 ; (4)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板上，从而形成PbZivxTixO3电介质层； (5)在...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱时昌，
申请(专利权)人：溧阳华晶电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：