一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，包括P型硅衬底，P型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层；P型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体BWB，最后形成INP结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双面太阳能电池，特别是一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片。
技术介绍
能源危机下光伏产业发展迅速。光伏理论与技术的发展逐渐走向成熟，进一步推广光伏应用的关键是提高电池光电转换效率、降低电池成本。Si衬底上HIT(物理上讲即PIN结)电池在日本Sanyo公司得到大力发展。它是晶体Si上生长非晶Si薄层的“异质结”(HIT结)电池，其工艺温度实际是一种中温工艺，虽然转换效率略强，但是寿命短，双面电池是适合于高日照下工作，工艺上适合规模化生产的低价高效电池之一。但是真正的双面电池是德国2006年开发的双PIN结、三电极(背电极，发射极，选择发射极)结构。日本改为双电极结构(基极，集电极)，其实三电极结构更合理，发电效率更高。因为晶体的形成都是高温下形成，掺杂的薄膜可以高温或者亚高温，而中温的CVD品质上会影响整个电池片的寿命。日本Si衬底上所谓“HIT结构”太阳能电池(hetero2junctionwithintrinsicthin21ayer solar cells)并非传统的异质结,我们做的有机单晶与娃单晶的双面电池才是真正的异质结。我们分别以P型S1、N型Si本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种P型硅加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：包括P型硅衬底，P型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N型掺杂层、隔离层I和N?型掺杂层；P型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体BWB，最后形成INP结构。

【技术特征摘要】
1.一种P型娃加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于:包括P型娃衬底，P型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、N型掺杂层、隔离层I和N-型掺杂层；P型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、N型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体BWB，最后形成INP结构。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩元杰，李新富，吴鹏飞，张冰，姚英，
申请(专利权)人：浙江金贝能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：