一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，包括N型硅衬底，N型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、P+型掺杂层、隔离层I和N型掺杂层；N型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N+型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体并五苯，最后形成IN+P结构。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种双面太阳能电池，特别是一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片。
技术介绍
能源危机下光伏产业发展迅速。光伏理论与技术的发展逐渐走向成熟，进一步推广光伏应用的关键是提高电池光电转换效率、降低电池成本。Si衬底上HIT(物理上讲即PIN结)电池在日本Sanyo公司得到大力发展。它是晶体Si上生长非晶Si薄层的“异质结”(HIT结)电池，其工艺温度实际是一种中温工艺，虽然转换效率略强，但是寿命短，双面电池是适合于高日照下工作，工艺上适合规模化生产的低价高效电池之一。但是真正的双面电池是德国2006年开发的双PIN结、三电极(背电极，发射极，选择发射极)结构。日本改为双电极结构(基极，集电极)，其实三电极结构更合理，发电效率更高。因为晶体的形成都是高温下形成，掺杂的薄膜可以高温或者亚高温，而中温的CVD品质上会影响整个电池片的寿命。日本Si衬底上所谓“HIT结构”太阳能电池(hetero2junctionwithintrinsicthin21ayer solar cells)并非传统的异质结,我们做的有机单晶与娃单晶的双面电池才是真正的异质结。我们分别以P型S1、N型Si为衬底，开发了 1、2型双PIN结的双面电池。我们又以有机半导体晶体加玻璃TCO与N型硅、P型硅在电池背面形成PINB、NIN+B双异质结即3、4型双面电池。以下分别以1、2、3、4型四种双面电池对当前全球晶体太阳能电池产业的发展与机理做出了创新。
技术实现思路
本技术的目的在于，提供一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片。它是原高温工艺加低温有机结晶成形，所以结构稳定，品质因素高，但是成本相对较高，在原有的工艺设备上实现流程速度提高，而且容易实现全自动化。相对德、日、美太阳能电池大国的电池片，虽然材料成本高，但是工艺成本低，工艺可控制程度高，因此总成本要低。本技术的技术方案:一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特点是:包括N型硅衬底，N型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、P+型掺杂层、隔离层I和N型掺杂层；N型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、N+型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体并五苯，最后形成IN+P结构。其中加减上标分别表示重掺杂和轻掺杂。隔离层I为二氧化硅。顶层的N—型掺杂层上设有SiN减反射膜。上述的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片中，所述N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其最顶层的N型掺杂层上印刷有前电极，并覆盖有EVA层；其最底层的并五苯上设有背电极，并覆以EVA。或直接设有TCO导电玻璃或导电薄膜作为透光又可支撑的背电极。与现有技术相比，本技术在N型硅衬底正反两面均形成异质结，其掺杂结构之间采用SiO2隔离层，而且硼磷掺杂层间构成浓度梯度。这种结构必须实现水平方向均匀化、垂直方向禁带梯度化，以利于提闻光伏效率；由于SiO2的存在，减少了重复污染，也提闻了光伏效率，所以本技术给出了 一个光伏效率函数:Δ F=FlClt+F2dt-Pm Δ mdt。附图说明图1是本技术的结构示意图；图2是本技术的制备工艺流程图。具体实施方式以下结合附图和实施例对本技术作进一步的说明，但并不作为对本技术限制的依据。实施例。一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，如图1所示，包括N型硅衬底N(Si)，N型硅衬底两面均设有绒面6，N型硅衬底上表面实现硼磷分层梯度扩散掺杂，并用隔离层I将各层隔开，形成IP+IN结构，背面直接清洗并用磷扩散，再低温沉积P型并五苯有机晶体8。标号5为SiN减反射膜。磷扩散加有机晶体并五苯(P型)分层沉积构成IN+P结构。所述N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其最顶层的N型掺杂层上再印刷前电极3后覆盖有EVA层7，用激光刻槽、清洗，实现银选择电极引出线；其最底层的并五苯有机晶体上再实现银烧结背电极1，再覆以EVA。或直接用TCO(氧化物薄膜)、导电玻璃或导电薄膜作为透光又可支撑的背电极或直接耦合TCO导电玻璃9 ;正面的埋电极有两种，一是正对背电极的正上方位置制作埋电极，二是在正上方做常规的输出电极，在其硅片边缘离边5毫米(mm)处做埋电极2，埋深是80-90微米(μ m)。所述前电极、背电极和埋电极均为银电极，埋电极技术是一种连续战壕式的，或是长方形段壕。埋电极的侧面4与硅片上半部绝缘，要求其方阻为100 Ω。硼磷扩散掺杂的均匀度要求不大于±3%的误差。所述并五苯的成晶方式为有机试剂低温物理溶解成晶或者溅射成晶。在制备本技术的N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片时，在制作工艺方面还存在以下这些需要注意的地方。本技术为双面采光电池片，去掉了 BSF底层反光结构。即双面采光的双重进光光伏效应器件；a)背面光电池，正面光电池。b)三电极由烧结型+光腐蚀型工艺获取。形成背极、前极、埋电极(选择发射极)。c)保持双刻蚀、清洗、制绒收边的原工艺。d)双面光减反射薄膜及EVA光电子囚笼结构工艺可保留，并作成禁带梯度结构使双面采光囚笼效应实现。e)导电玻璃TCO粘胶工艺技术、印刷电极工艺保留。但是TCO镀层一面紧贴晶片表面，从而将支撑作用与导电作用合二为一。微纳米级沉积厚度Δ μ m( μ =Micro meter)、其控制工艺与RD (方阻)均勻度Λ Rn与扩散时间At有关。形成一个光伏效率Fl (Λ μ m、ARD、At)的经验函数，我们称之经验扩散函数。关键是这些参数的合理控制，直接提高电池片的质量和效率。埋电极的微纳米刻蚀技术，刻深是属微米级，掺杂导电层厚度是纳米级，它的导电率涉及埋深层位AL，掺杂材料视电阻率R，刻蚀条数Λ η与刻蚀电流ΛΑ、频率Af F3 (R、AL、Δη、ΔΑ、Δ f)可以建立一个临界埋深函数Fc=f ( Δ L、R、Δη、AA、Tflaser)。这是第三个经验函数。本技术形成了禁带台阶，它与扩散、烧结、PECVD、流延工艺步骤、作业时间有关；并涉及衬底材料、掺杂层数及其数量、频率控制、隔离带(I)的厚薄、制做过程融合函数，允许一定的幅度涨落，即F=Fldt+F2dt-PmArndt.Pm为金属污化损耗。Fl+f2 >> Pm,但是Pm不能也不会为O。利用高温扩散+亚高温烧结+中温PECVD，形成三明治叠层结构。因为衬底厚度都在180μπι左右。这种双层三明治厚度在微米级。掺杂电子或空穴层在纳米级，这时其均匀度(J)是效率的关键因子，J函数PV=Fl (J)+F2 (J)，J是由温度及其老化时间，气氛杂质含量决定的。我们的清污次数不能过高，它也会增加成本和产生嵌套污染(P)。PV效率=Fl (J)一P(m).污化包括金属杂质，掺杂过量也是杂质。如三氯氧磷、三溴化硼、氢氟酸、印刷稀释剂等。三电极(背向埋)材料选择与埋电极的工艺(深度、工具、均匀度、导电率、边缘绝缘技术，使其物理结构保持深槽侧面绝缘，更重要的使三个电极有接触电势差。几何结构保持易操作，化学性质保持均匀和化学稳定并达到持续长期耐老化的特点，发电寿命取决于极化层的出现与厚度。烧结与丝网印刷:双面、双扩、双晶工艺中最讲究材料纯度以及浆料与稀释剂浓度，析出直接影响印刷电极均本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种N型硅衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片，其特征在于：包括N型硅衬底，N型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、P+型掺杂层、隔离层I和N型掺杂层；N型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层I、N+型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体并五苯，最后形成IN+P结构。

【技术特征摘要】
1.一种N型娃衬底加有机晶体双面异质结太阳能电池片,其特征在于:包括N型娃衬底，N型硅衬底正面设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、P+型掺杂层、隔离层I和N型掺杂层；N型硅衬底背面也设有绒面，绒面上依次设有隔离层1、N+型掺杂层，最后沉积有P型有机晶体并五苯，最后形成IN+P结构。2...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩元杰，李新富，吴鹏飞，张冰，许艳，
申请(专利权)人：浙江金贝能源科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：