一种基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法技术

技术编号:8775230 阅读:240 留言:0更新日期:2013-06-08 22:03
本发明专利技术公开了基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池及其制备方法,电池组成包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO-CdS-Sb2S3三组分纳米棒阵列、MEH-PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池阴极的Au膜层。本发明专利技术制备方法简便,Sb2S3层的厚度易控。

【技术实现步骤摘要】

:本专利技术涉及纳米材料和能源领域,确切地说是。
技术介绍
:由有机共轭聚合物和无机半导体纳米结构组成的聚合物太阳电池是一种新型的有机/无机杂化太阳电池。由于其兼具聚合物(重量轻、柔韧性好、易大面积低价成膜等)和无机半导体材料(载流子迁移率高、性质稳定、结构易控制等)的优点,近年来成为低价太阳电池中的重要研究对象。通常,将无机半导体纳米颗粒与有机聚合物在有机溶剂中混合,实现简单共混,再由适当方式将这些简单共混物制成无序有机/无机杂化电池;例如,有机聚合物与 ZnO (Adv.Funct.Mater.2006, 16, 1112-1116)、TiO2 (Appl.Phys.Lett.2007,90,183513)、PbS (Nanotechnology 2009,20,095202)、PbSe (ACS Nano 2009,3,1345-1352)或 CdSe (J.Phys.Chem.C 2010, 114,12784-12791)等无机半导体纳米颗粒组成的太阳电池。然而此类电池效率较低,其中没有理想的电子传输通道及较为严重的界面电荷复合是重要的影响因素。用一维无机纳米棒(或线)阵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于三元纳米阵列的有机/无机杂化太阳电池,其特征在于:包括有玻璃衬基、作为阳极的ITO层、ZnO?CdS?Sb2S3三组分纳米棒阵列、MEH?PPV膜层、PEDOT:PSS空穴传输层以及作为电池的阴极的Au膜层;所述的ITO层镀在玻璃衬基上作为电池的阳极,以垂直生长于ITO层之上的ZnO?CdS?Sb2S3三组分纳米棒阵列为电池的电子传输通道,光吸收材料MEH?PPV填充到ZnO?CdS?Sb2S3三组分纳米棒的间隙之中,同时在ZnO?CdS?Sb2S3三组分纳米棒阵列上方形成MEH?PPV膜层,在MEH?PPV膜层上沉积PEDOT:PSS作为空穴传输层,在空穴传输层上沉积Au膜作为电池的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:刘长文王命泰邱泽亮张慧
申请(专利权)人:中国科学院等离子体物理研究所
类型:发明
国别省市:

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