薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板制造技术

本发明专利技术提供了一种薄膜晶体管和包括薄膜晶体管的阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，其位于包括像素区的基板上，选通线在一个方向上延伸；栅极，其位于像素区中并且从所述选通线延伸；栅绝缘层，其位于选通线和栅极上；数据线，其位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉，以限定所述像素区；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上并且具有三个端部，所述氧化物半导体层对应于所述栅极；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上，露出所述氧化物半导体层的所述三个端部；源极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的两个端部接触并且从所述数据线延伸；以及漏极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的一个端部接触并且与所述源极隔开。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种液晶显示器(IXD)的阵列基板，更具体地，涉及一种具有氧化物半导体层的阵列基板，所述氧化物半导体层具有高度稳定的器件特性并且能够抑制由栅极和源极/漏极中的每一个之间的交叠引起的寄生电容，以提高分辨率特性和薄膜晶体管(TFT)的特性。
技术介绍
近年来，随着面向信息社会的到来，被构造为处理并显示大量信息的显示装置的领域已快速发展。最近已开发出液晶显示器(IXD)或有机发光二极管(OLED)作为具有优良性能(例如，厚度小、重量轻且功耗低)的平板显示器(FPD)，并且已取代传统的阴极射线管(CRT)0在LCD之中，有源矩阵(AM)型LCD包括阵列基板，该阵列基板具有用作能够控制每个像素的开/关电压的开关元件的TFT，该AM型LCD具有优良的分辨率以及实现运动图像的能力。AM型IXD必须包括用作打开/关闭每个像素区的开关器件的TFT。图1是IXD的传统阵列基板11的剖视图，该剖视图示出了 TFT的一个像素区。如图1中所示，多个选通线(未示出)和多个数据线33可以形成在阵列基板11上，并且可以由选通线和数据线33的交叉限定多个像素区P。栅极15可以形成在多个像素区P中的每一本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，所述阵列基板包括：选通线，其位于包括像素区的基板上，所述选通线在一个方向上延伸；栅极，其位于所述像素区中并且从所述选通线延伸；栅绝缘层，其位于所述选通线和所述栅极上；数据线，其位于所述栅绝缘层上并且与所述选通线交叉，以限定所述像素区；氧化物半导体层，其位于所述栅绝缘层上并且具有三个端部，所述氧化物半导体层对应于所述栅极；蚀刻阻止件，其位于所述氧化物半导体层上，以露出所述氧化物半导体层的所述三个端部；源极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的两个端部接触，并且从所述数据线延伸；以及漏极，其与所述氧化物半导体层的所述三个端部中的一个端部接触，并且与所述源极隔开。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴宪光，任董壎，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：