存储结构及其形成方法技术

本发明专利技术提出一种存储结构及其形成方法，其中该存储结构包括：衬底；形成在所述衬底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构相互平行，每个所述沟道结构在垂直于所述衬底的方向上包括交替堆叠的多层单晶半导体层和多层氧化物层，其中，至少一层所述氧化物层为单晶氧化物层；与所述多个沟道结构相互配合的多个栅结构，每个所述栅结构包括紧邻所述沟道结构的栅介质层和紧邻所述栅介质层的栅极层。本发明专利技术具有制备工艺简单、成本低、读写速度快、存储密度高的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体记忆器件领域，特别涉及一种。
技术介绍
NAND闪存存储器作为一种存储结构的商业应用越来越广泛，例如智能手机、平板电脑、固态硬盘等。这些应用也对其提出了低成本、高密度的要求。然而，光刻技术的极限、短沟道效应、更少的存储电子以及浮栅耦合等诸多挑战都限制着传统的平面型的NAND闪存技术向20nm以下结点发展。因此，三维堆叠的NAND闪存存储器逐渐成为关注的热点。现有的3D-NAND闪存技术按照堆叠方式可划分为栅堆叠型以及沟道堆叠型。其中栅堆叠型包括管型结构P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)结构以及晶体管单兀阵列结构TCAT(Terabit Cell Array Transistor)结构两种,而沟道堆叠型包括垂直栅结构的 VG NAND (Vertical-Gate NAND)结构和单晶娃堆叠阵列的 STAR(Single_CrystallineSi STacked ARray)结构两种。对于栅堆叠型结构，位线垂直于芯片表面，栅与芯片表面平行并且在垂直方向堆叠。随着堆叠层数的增加，栅堆叠的难度越来越大，因此，位线的位数则受到很本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储结构，包括：衬底；形成在所述衬底上的多个沟道结构，所述多个沟道结构相互平行，每个所述沟道结构在垂直于所述衬底的方向上包括交替堆叠的多层单晶半导体层和多层氧化物层，其中，至少一层所述氧化物层为单晶氧化物层；与所述多个沟道结构相互配合的多个栅结构，每个所述栅结构包括紧邻所述沟道结构的栅介质层和紧邻所述栅介质层的栅极层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立滨，王敬，梁仁荣，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：