包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路制造技术

本发明专利技术涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。在集成电路的一个实施例中，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。

【技术实现步骤摘要】
包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路
本专利技术涉及包括功率晶体管和辅助晶体管的集成电路。
技术介绍
在操作期间，电源和功率转换器中的诸如开关的半导体部件因这些部件中的功率耗散而被加热。如果半导体部件在所谓的稳定温度点以下操作，则可能发生电流成丝（currentfilamentation）并且其导致半导体部件的毁坏。作为过度加热和电流成丝的对策，通常在操作期间适当地限制诸如正向电流，dI/dt、dU/dt、温度等的电参数并且使其保持在安全操作区域范围内（SOA范围）。然而，使操作范围限于安全操作区域限制了半导体部件特性的进一步改进。因此，期望针对过度加热和电流成丝改进半导体部件的保护。
技术实现思路
根据集成电路的一个实施例，集成电路包括具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子的功率晶体管。集成电路进一步包括具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子的辅助晶体管。第一辅助负载端子电耦接到功率控制端子。集成电路进一步包括具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层的电容器。电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一。第一电容器电极电耦接到辅助控制端子。在阅读以下详本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路，包括：功率晶体管，其具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子；辅助晶体管，其具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子，其中所述第一辅助负载端子电耦接到所述功率控制端子；以及电容器，其具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层，所述电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一，其中所述第一电容器电极电耦接到所述辅助控制端子。

【技术特征摘要】
2011.12.06 US 13/3121801.一种集成电路，包括：功率晶体管，其具有功率控制端子、第一功率负载端子和第二功率负载端子；辅助晶体管，其具有辅助控制端子、第一辅助负载端子和第二辅助负载端子，其中所述第一辅助负载端子电耦合到所述功率控制端子；以及电容器，其具有第一电容器电极、第二电容器电极和电容器介电层，所述电容器介电层包括铁电材料和顺电材料至少之一，其中所述第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子；以及还包括二极管，其中二极管的阳极和第一辅助负载端子电耦合到功率控制端子，二极管的阴极和第一电容器电极电耦合到所述辅助控制端子;其中第二辅助负载端子、第二电容器电极和第二功率负载端子被直接地电连接。2.根据权利要求1所述的集成电路，进一步包括半导体衬底，其包括所述功率晶体管和所述电容器的单片集成。3.根据权利要求2所述的集成电路，其中：所述功率晶体管包括布置在所述半导体衬底的单元区域中的多个功率晶体管单元；以及所述电容器布置在所述单元区域中。4.根据权利要求3所述的集成电路，其中：所述电容器包括并联连接的多个子电容器；以及所述多个子电容器均匀散布在所述单元区域上。5.根据权利要求2所述的集成电路，其中：所述功率晶体管具有最大关断时间τ并且包括布置在所述半导体衬底的单元区域中的多个功率晶体管单元；所述电容器布置在具有距所述单元区域的横向距离为d的电容器区域中；以及所述最大关断时间τ和所述横向距离d满足d<10-5m/μs×τ。6.根据权利要求1所述的集成电路，其中：所述功率晶体管包括功率场效应晶体管；所述辅助晶体管包括辅助场效应晶体管；以及所述辅助场效应晶体管的阈值电压大于所述功率场效应晶体管的阈值电压。7.根据权利要求6所述的集成电路，其中所述辅助场效应晶体管的栅极电介质的厚度大于所述功率场效应晶体管的栅极电介质的厚度。8.根据权利要求1所述的集成电路，其中具有大于103Ω的电阻值的电阻器与所述二极管并联连接。9.根据权利要求1所述的集成电路，二极管进一步包括：第一二极管，具有第一阳极和第一阴极；第二二极管，具有第二阳极和第二阴极；以及其中所述第二阴...

【专利技术属性】
技术研发人员：A莫德，FD普菲尔施，HJ舒尔策，
申请(专利权)人：英飞凌科技奥地利有限公司，
类型：发明
国别省市：