一种薄膜晶体管阵列基板、制备方法以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于显示技术领域，具体的涉及一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其中，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。该薄膜晶体管阵列基板制备方法，减少了采用构图工艺形成像素电极层的步骤，减少了掩模板的使用量，提高像素电极形成材料的利用率，同时降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于显示
，具体的涉及一种薄膜晶体管阵列基板制备方法、薄膜晶体管阵列基板以及显示装置。
技术介绍
近年来,显示技术得到快速的发展,如薄膜晶体管(Th i n Fi I mTrans istor:简称TFT)技术由原来的非晶硅薄膜晶体管发展到现在的低温多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物半导体薄膜晶体管等。而发光技术也由原来的液晶显示(Liquid Crystal Display:简称IXD)技术发展为现在的有机电致发光显示(Organic Light-Emitting Diode:简称OLED)技术。薄膜晶体管作为显示装置的驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管一般包括在基板I上依次形成的栅电极层2、栅极绝缘层3、有源层4、源漏电极层6、钝化层7以及像素电极层8，所述源漏电极层6与所述像素电极层8通过过孔连接。其中，有源层4采用非晶硅材料形成的TFT剖视图如图1所示，有源层上方为欧姆接触层51 ;有源层4采用金属氧化物半导体材料形成的TFT剖视图如图2所示，有源层上方为刻蚀阻挡层52。在上述两种薄膜晶体管中，像素电极层均采用氧化铟锡形成。在薄膜晶体管的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板制备方法，包括以下步骤：在基板上形成栅电极层、栅极绝缘层、有源层、源漏电极层、钝化层以及像素电极层，其特征在于，所述钝化层通过构图工艺形成包括过孔的结构图案，所述像素电极层通过滴注方式形成在结构图案区域内，所述源漏电极层与所述像素电极层通过过孔连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：孔祥永，刘晓娣，成军，陈江博，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：