绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路制造技术

本实用新型专利技术设计的是一种绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路，是由两个与非门集成芯片U1和U2及四支电阻R1、R2、R3、R4组成的，其特征是：电阻R1、R4与与非门集成芯片U1的输入端连接，与非门集成芯片U1输出端与电阻R3、与非门集成芯片U2的输入端连接，电阻R2、R3与与非门集成芯片U2的输入端连接，与非门集成芯片U2的输出端与电阻R4、与非门集成芯片U1的输入端连接。本实用新型专利技术的电路设计具有外围电路简单、工作可靠、电路可扩展性强、生产制造成本低等优点。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路
本技术设计的是一种绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路。
技术介绍
绝缘栅双极性晶体管IGBT是由金属半场效晶体管MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，可正常工作于几十千赫兹频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。在绝缘栅双极性晶体管IGBT工作中，由于同一桥臂上的两个绝缘栅双极性晶体管IGBT的控制信号重叠或开关器件本身延时过长等原因，使上下两个IGBT直通，桥臂短路，此时电流的上升率和浪涌冲击电流都很大，极易损坏IGBT。本技术就是为了保护绝缘栅双极性晶体管IGBT直通而设计的。
技术实现思路
本技术的目的是将同一桥臂上的两个绝缘栅双极性晶体管IGBT的驱动信号进行互锁，从而防止两个绝缘栅双极性晶体管IGBT直通。本技术的目的是这样实现的:绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路，是由两个与非门集成芯片Ul和U2及四支电阻Rl、R2、本文档来自技高网...

【技术保护点】
绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路，是由两个与非门集成芯片U1和U2及四支电阻R1、R2、R3、R4组成的，其特征是：电阻R1、R4与与非门集成芯片U1的输入端连接，与非门集成芯片U1输出端与电阻R3、与非门集成芯片U2的输入端连接，电阻R2、R3与与非门集成芯片U2的输入端连接，与非门集成芯片U2的输出端与电阻R4、与非门集成芯片U1的输入端连接。

【技术特征摘要】
1.绝缘栅双极性晶体管IGBT驱动信号防直通电路，是由两个与非门集成芯片Ul和U2及四支电阻Rl、R2、R3、R4组成的，其特征是:电阻Rl、R4与与非门集成芯片Ul的输入端连接，与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张哲，刘志强，韩洪臣，
申请(专利权)人：哈尔滨九洲电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：