用于晶圆键合的装置及晶圆键合方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于晶圆键合的装置，包括：第一腔室，用于对准该晶圆；第二腔室用于键合该晶圆；第三腔室，用于冷却该晶圆；第二腔室包括与第一腔室连接的第一接口和与第二腔室连接的第二接口；该第一腔室和第三腔室均包括一与外界连接的接口。本发明专利技术同时公开一种晶圆键合的方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造装备领域，尤其涉及一种。
技术介绍
晶圆键合技术可以将不同材料的晶圆结合在一起，常用的键合技术有:硅-硅直接键合、硅-玻璃直接键合、金属扩散键合、聚合物粘接键合等，该技术已经应用于多个半导体领域，比如3D-TSV、HB-LED、SO1、MEMS等，是未来半导体行业发展的重要技术之一。根据不同的应用领域，晶圆键合的工艺参数都不相同，但是基本原理相似。键合工艺的示意图如图1所示，在真空环境中，图1中的两个硅片2、3通过压力控制装置I施加一定压力，同时用加热板4加热和电源控制6施加电流，以达到键合的目的。通常情况下一套完整的晶圆键合工艺主要由两类设备组成:对准设备和键合设备。对准设备能够将两片晶圆根据对准标记对准并且紧紧贴在一起；键合设备能够将不同材料的晶圆结合在一起。一般使用对准设备将一对晶圆对准和固定需要51分钟，键合设备键合一对晶圆需要45飞O分钟，键合设备的温度与时间曲线如图2所示。根据键合腔升降温度时间，可以把键合工艺分成三个阶段，首先在10分钟内将键合腔内抽真空到键合需要的真空度，同时升高键合腔内的温度到键合所需要的温度；然后在保持真空度和键合温度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于晶圆键合的装置，其特征在于，包括：第一腔室，用于对准所述晶圆；第二腔室用于键合所述晶圆；第三腔室，用于冷却所述晶圆；第二腔室包括与第一腔室连接的第一接口和与第二腔室连接的第二接口；所述第一腔室和第三腔室均包括一与外界连接的接口。

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆键合的装置，其特征在于，包括:第一腔室，用于对准所述晶圆；第二腔室用于键合所述晶圆；第三腔室，用于冷却所述晶圆；第二腔室包括与第一腔室连接的第一接口和与第二腔室连接的第二接口 ；所述第一腔室和第三腔室均包括一与外界连接的接口。2.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置，其特征在于，所述第一腔室包括一晶圆对准系统，一真空系统以及一传输系统。3.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置，其特征在于，所述第二腔室包括一真空系统，一承载单元、一压力单元以及一温度控制系统。4.如权利要求3所述的用于晶圆键合的装置，其特征在于，所述承载单元及压力单元的形状与所述晶圆一致。5.如权利要求1所述的用于晶圆键合的装置，其特征在于，所述第三腔室包括一冷却系统，一真空系统以及一传输系统。6.如权利要求2所述的用于晶圆键合的装置，其特征在于，所述晶圆对准系统包括对准夹具和至少一个探测器。7.一种晶圆键合的方法，其特征在于，包括:使待键合晶圆依次经过对准腔、键合腔及冷却腔；当第一待键合晶圆位于键合腔时，第二待键...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐世弋，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：