可挠式发光二极管封装结构及其制造方法技术

技术编号:8744861 阅读:130 留言:0更新日期:2013-05-29 22:25
一种可挠式发光二极管封装结构,其包括可挠式基板以及设置在该可挠式基板上的发光二极管芯片。所述可挠式基板包括一软性基板及一硬性基板。所述硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面。所述发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上,所述软性基板围设连接在硬性基板侧表面上,并且硬性基板的底面暴露在软性基板外。本发明专利技术的可挠式发光二极管封装结构的散热效率更高。本发明专利技术还提供一种可挠式发光二极管封装结构的制造方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种可挠式发光二极管封装结构,其包括可挠式基板以及设置在该可挠式基板上的发光二极管芯片,其特征在于:所述可挠式基板包括一软性基板及一硬性基板,所述硬性基板包括一顶面、与所述顶面相对的底面以及连接该顶面和底面的侧表面,所述发光二极管芯片设置在硬性基板的顶面上,所述软性基板围设连接在硬性基板侧表面上,并且硬性基板的底面暴露在软性基板外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:罗杏芬
申请(专利权)人:展晶科技深圳有限公司荣创能源科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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