【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及纳米新材料
,具体涉及一种低介电常数介孔氧化硅薄膜材料的制备方法。
技术介绍
目前,国内外研究较多的低介电常数薄膜是多孔氧化硅薄膜,制备方法大多数采用传统的溶胶一凝胶(sol-gel)法。如Anderson Marc A等人于1993年申请的美国专利US5194200采用溶胶一凝胶法制备二氧化硅薄膜,利用硅的醇盐和氨水水解反应制备溶胶,溶胶渗析到PH值为8,然后酸化到pH值为3,将溶胶涂敷在支撑体上,该方法的缺点是必须通过控制环境湿度来控制干燥速度,从而防止膜的开裂,所得二氧化硅膜材料的孔径小于2nm。Webster Elizabeth等人于1993年申请的美国专利US 5269926中描述用溶胶一凝胶法制备二氧化硅膜,在溶胶干燥过程中,涂有二氧化硅溶胶的支撑体必须放在湿度100%的密闭的玻璃试管中,严格控制干燥条件,以免膜的开裂。上述溶胶一凝胶方法制备出的薄膜材料孔洞可以达到纳米级,但普遍存在以下不足:(I)孔径的大小很难控制;(2)材料孔径分布较宽,均匀性差;(3)材料的重现性不好。美国专利US 6270846公开了一种制造多孔氧化硅薄 ...
【技术保护点】
一种介孔氧化硅薄膜材料的制备方法,其特征在于:将P123和PDMS?PEO加入到聚合氧化硅溶胶中,形成低聚硅酸盐前躯体溶液,然后在室温下老化4~6?h,将老化后的前躯体溶液采用1500?rpm左右的速度旋涂到硅片上、旋涂时间为28?s,将旋涂后所得涂层在空气气氛下110?℃焙烧4?h,再在大约400℃焙烧1?h,制得低介电常数介孔氧化硅薄膜材料;所述氧化硅溶胶是按摩尔比为1:72:0.004:33的TEOS,水,质量百分比浓度为37%的浓盐酸和无水乙醇在68~75?℃回流80~100?min制得的;以上反应物中,TEOS:P123:PDMS?PEO:水:37wt%HCl:无 ...
【技术特征摘要】
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