【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种玻璃基板的制造方法以及玻璃基板，尤其涉及一种适于由多晶硅薄膜晶体管元件驱动的所谓低温P-SiTFT类型的显示器的玻璃基板。
技术介绍
作为液晶显示器等平板显示器的基板，广泛应用铝矽酸盐玻璃基板。对于用于该用途的玻璃基板，要求热收缩较小。即，在玻璃基板上形成薄膜电路后，实施成膜热处理、制作布线图案等处理，在这些处理中，玻璃基板被暴露在高温下。此时，玻璃基板产生构造松驰，体积收缩。如果该热收缩较大，则形成在玻璃基板上的电路图案会背离所期望的设计，产生无法维持电气性能的致命缺陷。然而，对于平板显示器，每年都提高对高精度、高清晰等的要求，有希望被认作为满足这些要求的下一代显示器的是由低温ρ-SiTFT进行驱动的液晶显示器或有机EL显示器。在这些显示器中，在基板上形成低温P-SiTFT时的热处理温度为450 600° C左右的高温，而且电路图案变得更精细。因此，对于用于这种用途的玻璃基板，特别地要求热收缩率较小的玻璃基板。当前，这种玻璃基板是通过浮式法或以溢流下拉法为代表的下拉法而成型的。浮式法是通过使熔融玻璃流出到熔融的锡(浴槽)上，沿水平方向对熔融玻...
【技术保护点】
一种玻璃基板的制造方法，其特征在于，包括下述工序：成型工序，其利用下拉法将熔融玻璃成型为带状；退火工序，其对玻璃带进行退火；以及切割工序，其对玻璃带进行切割，从而得到玻璃基板，所述退火工序包括：将玻璃冷却至退火点为止的第一退火阶段；将玻璃冷却至Tx为止的第二退火阶段，其中，Tx是落在从比退火点低50°C的温度至比退火点低200°C的温度之间的温度；以及将玻璃冷却至比Tx低250°C的温度为止的第三退火阶段，使得第二退火阶段的平均冷却速度低于第一退火阶段的平均冷却速度。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：加藤嘉成，松木栄司，
申请(专利权)人：日本电气硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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