晶圆级封装方法及其封装结构技术

本发明专利技术涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构，其封装方法包括有以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽；往第一槽内填充包覆材料，填充后，第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐；在晶圆背面开设第二槽，第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度；往第二槽内填充包覆材料，填充后，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割。本发明专利技术通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装技术，尤其涉及一种晶圆级封装方法及其封装结构。
技术介绍
随着半导体技术的发展，半导体芯片的功能日益强大，致使半导体芯片信号的传输量不断增加，对芯片单元的高密度输入输出端口的要求越来越高。另一方面，信息科技的发展日渐趋向于轻薄短小的形式，既要求缩小芯片封装尺寸，又要求保证芯片单元的高可靠性和稳定性。不管是BGA(Ball Grid Array的简称，球栅阵列)封装还是QFN(Quad FlatNon-1eaded的简称，方形扁平无引脚)封装得到的产品结构组件，传统的芯片级封装已渐渐不能满足市场要求。以传统的BGA封装为例，其基本工艺步骤依次包括背面打磨、晶圆切害I]、芯片黏贴、金线键合、注塑、小球黏贴以及单一化切割；其存在以下两个缺陷，首先是采用金丝键合的结构已经越来越不能满足高密度输入输出端口的产品要求，其次是它的晶圆切割是先将各芯片单元分离，再以一个接一个的方式将芯片单元定位并黏着在基板之上，也就是说，在晶圆切割之后的所有工序都需要重复与芯片单元个数同样多的次数，这必然导致高成本和低产能。近年来，针对上述问题，业内衍生出一种新的封装方法，具体来说，先对晶圆进行凸块工艺处理，然后在晶圆切割之后，通过引申使芯片单元之间形成一定距离的宽度，再通过晶圆级注塑(但不限于此种方法包覆)、单一化切割等步骤最终完成产品的封装。公开日为2009年3月18日，公开号为CN101388367A的中国专利技术专利申请公布说明书揭示了这样一种晶圆级封装方法及其封装结构。尽管该封装方法解决了输入输出端口不足的问题，也省去了晶圆切割之后的所有芯片级工序，但是它又存在以下两个缺陷，其一是产品的厚度较传统的封装无大的改观，其二是引申后做注塑只适合封装尺寸比较大，且对芯片偏移无精确要求的产品。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，克服现有封装产品存在着的输入输出端口密度低、可靠性差、产能低、以及封装体积大等缺陷。本专利技术旨在提供一种晶圆级封装方法及其封装结构，其通过晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，实现产品的高密度输入输出端口、高可靠性，轻薄短小、高产能以及低成本的要求。为了解决上述技术问题，本专利技术所提出的技术方案是:一种晶圆级封装方法，其包括以下步骤:提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽，第一槽的宽度小于相邻芯片单元的相邻凸块的间距，第一槽的深度小于芯片单元的厚度；往第一槽内填充包覆材料，填充后，第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐；在晶圆背面开设第二槽，第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度，第二槽的宽度是第一槽宽度的一半，且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第二槽内填充包覆材料，填充后，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割，以晶圆正面的第一槽或晶圆背面的第二槽的中心为切割中心进行切割。进一步的，在不同实施方式中，所述晶圆级封装方法在凸块工艺处理之后，晶圆正面开槽之前，还进一步包括对晶圆正面进行二次钝化处理。进一步的，在不同实施方式中，所述晶圆级封装方法在往第一槽内填充包覆材料的步骤之后，晶圆背面开槽之前，还进一步包括打磨晶圆背面。进一步的，在不同实施方式中，其中打磨晶圆背面的步骤之前，往第一槽内填充包覆材料的步骤之后，还包括在晶圆正面贴膜。进一步的，在不同实施方式中，所述开设第一槽和第二槽的步骤中，可以采用传统的机械晶圆切割、激光切割或者刻蚀。进一步的，在不同实施方式中，所述往第一槽和第二槽内填充包覆材料的步骤中，包覆材料为黏性弹性材料，可以选择热环氧树脂、阻焊剂、光刻胶、高分子固体材料、硅橡胶、弹性PU、多孔PU、炳烯酸橡胶、蓝胶或UV胶中的一种或几种。进一步的，在不同实施方式中，所述往第一槽和第二槽内填充包覆材料的步骤中，填充方式可以是注塑、涂布、或丝网印刷。进一步的，在不同实施方式中，所述往第二槽内填充包覆材料的步骤中，当填充方式是采用传统的注塑方法时，还包括垫平晶圆正面的凸块的方法。进一步的，本专利技术的又一个方面，还提供了一种由本专利技术涉及的晶圆级封装方法得到的晶圆级封装结构，其包括芯片单元，位于芯片单元正面之上的凸块，以及包覆该芯片单元侧面和背面的包覆层。进一步的，在不同实施方式中，所述晶圆级封装结构，还包括设置在芯片单元正面之上的二次钝化层，所述二次钝化层包覆在所述凸块之间。与现有技术相比，本专利技术的有益效果在于，本专利技术涉及的晶圆级封装方法及其封装结构采用晶圆凸块工艺、晶圆级部分开槽和晶圆级包覆材料填充，一方面，同传统的芯片级封装方法及结构相比，实现芯片单元的高密度输入输出端口，省去了芯片级晶圆切割后的所有工序，有效提高产能和降低成本；另一方面，同无外围保护的晶圆级封装方法及结构相比，实现高可靠性和良好的散热能力，其中产品可靠性可达到一级湿敏水平(MSL1，全称为Moisture Sensitivity Level);又一方面，同通过引申达到预定芯片间距再进行注塑的晶圆级封装方法及结构相比，有效避免芯片单元在封装过程中的相对位移，使封装尺寸更小，封装厚度更薄，实现市场对产品轻薄短小的要求。附图说明图1是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中在晶圆正面进行凸块工艺处理和二次钝化处理的示意图2是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中在晶圆正面开设第一槽的示意图；图3是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中往第一槽内填充包覆材料的示意图；图4是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中打磨晶圆背面的示意图；图5是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中在晶圆背面开设第二槽的示意图；图6是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中往第二槽内填充包覆材料的示意图；图7是本专利技术涉及的晶圆级封装方法中单一化切割的示意图；和图8是本专利技术涉及的晶圆级封装结构的示意图。具体实施例方式下面结合附图详细说明本专利技术的具体实施方式。在本专利技术涉及的晶圆级封装方法的一个实施方式中，其包括以下步骤:首先，提供包含芯片单元(未显示)的晶圆10 ;请参图1，在晶圆正面进行凸块工艺处理(Bumping)和二次钝化处理；其中凸块工艺处理，可以采用电镀、溅射或者化学置换等业界已知方法，将铜、镍、锑、金或锡等材料的凸块11生长在晶圆正面；而二次钝化处理，一般是在晶圆正面生长一层二次钝化层16，其中二次钝化层可以是聚酰亚胺膜等；请参图2，在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块11之间开设第一槽12，第一槽12的宽度小于相邻芯片单元的相邻凸块11的间距，第一槽12的深度小于芯片单元的厚度，其中开槽可以采用传统的机械晶圆切割、激光切割或者刻蚀等业界已知的方法；接着，请参图3，以第一槽的中心为填充中心往第一槽内填充包覆材料，填充后，第一槽内的包覆材料13与芯片单元的表面平齐，该包覆材料为黏性弹性材料，可以选择热环氧树脂、阻焊剂、硅橡胶、弹性PU、多孔PU、炳烯酸橡胶、蓝胶或UV胶中的一种或几种，而填充的方式可以是注塑、涂布、丝网印刷等，但并不以此为限；其中，在本实施方式中，包覆材料选用的是热环氧树脂；在晶圆正面贴膜以对其进行保护，然后打磨晶圆背面，其中正面的贴膜不仅需要包覆凸块，还需要满足与晶圆正面的包覆材料有良好黏合性的要求，例如可以选择UV贴膜，但并不仅限于此；通过打磨晶圆背面，使最终的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆级封装方法，其特征在于：其包括以下步骤：提供包含芯片单元的晶圆；在晶圆正面进行凸块工艺处理；在晶圆正面的相邻芯片单元的相邻凸块之间开设第一槽，第一槽的宽度小于相邻芯片单元的相邻凸块的间距，第一槽的深度小于芯片单元的厚度；往第一槽内填充包覆材料，填充后，第一槽内的包覆材料与芯片单元的表面平齐；在晶圆背面开设第二槽，第二槽的深度等于晶圆厚度减去第一槽中包覆材料的厚度，第二槽的宽度是第一槽宽度的一半，且第二槽的中心与第一槽的中心在同一条垂直于晶圆表面的直线上；往第二槽内填充包覆材料，填充后，包覆材料的高度高于晶圆背表面；和单一化切割，以晶圆正面的第一槽或晶圆背面的第二槽的中心为切割中心进行切割。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓燕，段志伟，陈慧，
申请(专利权)人：美新半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：