【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于压力传感器的
,具体涉及一种。
技术介绍
目前,国际范围内MEMS结构的压力传感器在超过400 V以上环境下进行稳定测量尚有难度。在高温环境冲击使得压力敏感结构失效或温度噪声造成压力信号不可传输。对于一些常见的压阻式压力传感器,由于需要对电桥供电和电压检测,连接电桥及检测电路的电引线在高温环境下的稳定性难以保证。一方面,当环境温度超过400 1:时,由于金属和半导体的互扩散作用,引线和压敏电阻的欧姆接触会发生不可逆变化;另一方面,由于高温杂质扩散作用,压敏电阻自身参数也会发生变化。从目前对金属-半导体欧姆接触的机理和工艺研究结果来看,在400 °C以上温度下,保持欧姆接触的稳定是不可能实现的,因而基于此类原理的压力传感器无法在高温下长时间工作。要实现工程上的高温环境压力测试,必须加以水冷或隔热等封装手段予以解决。而这样就会大大的增加压力传感器的体积和复杂性,并导致某些对体积要求苛刻或无法提供水冷的工况环境下的高温压力测量难以实现.。
技术实现思路
本专利技术针对以上现实高温恶劣环境下的MEMS传感器难点,解决了现在压力传感器在高温高压环境中无法正 ...
【技术保护点】
一种高温压力传感器,其特征在于其包括自上而下的四层,第一层即顶层上表面一侧刷有平面方形螺旋电感,顶层上表面另一侧刷有电容上极板,电容上极板与平面方形螺旋电感的外圈串联;第二层设有密封的压力空腔,第三层覆盖于第四层上表面将电容下极板与压力空腔隔开;第四层即底层上表面刷有电容下极板,电容下极板通过填充有银浆的过孔与顶层平面方形螺旋电感的内部环心连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:熊继军,谭秋林,李晨,洪应平,张文栋,刘俊,薛晨阳,梁庭,王伟,康昊,葛冰儿,杨明亮,
申请(专利权)人:中北大学,
类型:发明
国别省市:
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